| 講演名 | 2006-11-09 HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般) 佐藤 勝, 武山 真弓, 野矢 厚, |
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| 抄録(和) | Si-ULSIのCu配線技術では、低抵抗な窒化物バリヤを極薄化することが配線抵抗の低減にとって必要不可欠である。一方、層間絶縁膜の低誘電率化を実現させるために、熱的安定性に乏しいlow-k材料が導入されていることから、窒化物バリヤの成膜温度の低温化も同時に要求されるが、そのような要請を全て満足させるバリヤ作製方法は未だ得られていない。そこで本研究では、極薄バリヤ膜の新たな成膜手法として、スパッタ法にラジカル窒化を組み合わせた方法を提案する。その結果、本手法で得られた膜は、反応性スパッタ法で作製したHfN膜と同程度の特性が得られ、基板加熱なしの状態でも低抵抗な窒化物バリヤ膜が成膜可能であることがわかった。さらに、膜厚3～5nm程度と極薄化したHfNバリヤをCu/SiO_2、Cu/SiOC間に適用させても、500℃以上の熱処理温度に耐えられることから、本手法により作製した極薄HfNバリヤはCuの拡散バリヤとして十分適用可能であるものと示唆される。 |
| 抄録(英) | An extremely thin diffusion barrier of low resistivity is required for down-scaled interconnects on low-k insulating materials to reduce the RC signal delay. The requisite of low-temperature preparation is also another issue for preparation of barriers. We propose a new preparation method, in which a sputter-deposited metal film is nitrided by radical species activated by a hot-wire made of W. We applied this method to prepare the extremely thin HfN_x film on SiO_2 or SiOC layer as a barrier against Cu diffusion. The HfN_x barrier of 3～5nm in thickness tolerated annealing at temperatures higher than 500℃ with excellent barrier properties comparable to those of a reactively-sputtered HfN_x film. |
| キーワード(和) | Cu配線 / 低抵抗 / SiOC / HfNバリヤ |
| キーワード(英) | interconnect / low resistivity / SiOC / Cu / HfN barrier |
| 資料番号 | CPM2006-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/11/2(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HW法により成膜させた極薄HfN_x膜のCu/SiO_2及びCu/SiOC間のバリヤ特性(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of HfN_x thin films by hot-wire method and their barrier properties interposed between Cu interconnects and SiO_2 or SiOC layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Cu配線 / interconnect |
| キーワード(2)（和/英） | 低抵抗 / low resistivity |
| キーワード(3)（和/英） | SiOC / SiOC |
| キーワード(4)（和/英） | HfNバリヤ / Cu |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru SATO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Kitami Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. TAKEYAMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Kitami Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野矢 厚 / Atsushi NOYA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering Kitami Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2006-11-09 |
| 資料番号 | CPM2006-121 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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