| 講演名 | 2006-11-09 反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用(薄膜プロセス・材料,一般) 塩野 晃宏, 中久木 政秀, 小林 勲生, 山上 朋彦, 林部 林平, 小畑 元樹, 阿部 克也, 上村 喜一, |
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| 抄録(和) | 熱伝導率に優れたLD用サブマウント基板の材料として、AlN/Cu構造を応用することを提案し、RF反応性スパッタ法による作製を試みた。その結果、抵抗率10^<10>Ω・cm以上の値を有するAlN薄膜を窒素流量比25%以上で形成できることが分かった。また、RF電力500W(2.5W/cm^2)で作製した試料が最も絶縁特性に優れることを見出した。しかしながら、膜中には多くの導通領域が存在し、絶縁特性を劣化させていることが分かった。この導通領域は、フォトリソグラフィで用いるアルカリ性の現像液(TMAH)による膜の溶解に起因することが分かり、絶縁特性の向上にはAlN薄膜が溶解しない現像液を用いることが重要であることが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | The AlN film/Cu substrate structure was investigated for applying to the LD submount substrate with an excellent thermal conductivity. The AlN thin films were deposited by the rf reactive sputtering method. The AlN thin films with the resistivity higher than 10^<10>Ω・cm were successfully obtained at the nitrogen flow rate ratio higher than 25%. It was found that the AlN thin films contained a lot of conducting areas and it deteriorated the insulating property. The presense of the conducting areas originated in dissolution of the AlN thin film by the alkaline developer (TMAH) used by photolithography. Thus, it was found to be important for improving insulating property to choose the developer without solubility of the AlN. |
| キーワード(和) | スパッタ / AlN / サブマウント |
| キーワード(英) | sputter / AlN / submount |
| 資料番号 | CPM2006-118 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/11/2(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用(薄膜プロセス・材料,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reactive Sputter Deposition of AlN Film and Its Application to LD Submount |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スパッタ / sputter |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | サブマウント / submount |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩野 晃宏 / Akihiro SHIONO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中久木 政秀 / Masahide NAKAKUKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 勲生 / Isao KOBAYASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山上 朋彦 / Tomohiko YAMAKAMI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 林部 林平 / Rinpei HAYASHIBE |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小畑 元樹 / Motoki OBATA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | シチズンファインテック株式会社 CITIZEN FINE TECH CO., LTD. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 阿部 克也 / Katuya ABE |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Shinshu University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 上村 喜一 / Kiichi KAMIMURA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 信州大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Shinshu University |
| 発表年月日 | 2006-11-09 |
| 資料番号 | CPM2006-118 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 336 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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