| 講演名 | 2006-11-02 超伝導デバイス応用を目指した電気磁気効果を示す酸化物薄膜の作製(デジタル,一般) 岩田 展幸, 浅田 毅, 長瀬 研二朗, 山田 貴之, 山本 寛, |
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| 抄録(和) | 単一磁束量子デバイスへの応用を目指して、電気磁気(ME)効果を示す酸化物薄膜Cr_2O_3を作製した。Cr_2O_3はME材料の中で最も代表的な酸化物で反強磁性絶縁体である。Off-axis DC-RFマグネトロンスパッタ法を用いて、R面サファイア基板上に薄膜を堆積させた。ターゲットはCr金属である。600℃で最も結晶性が高かった。X線回折では、R面に起因するブラッグ反射のみ現れた。(1-102)のロッキングカーブの半値幅は0.359°であった。薄膜表面は、ステップーテラス構造を有し、表面荒さRaは0.80nmと非常に平坦であった。ステップ高さは数格子分のパンチングステップであった。エピタキシャル成長していると考えている。SrTiO_3基板上にCeO_2をバッファー層としてCr_2O_3を成長させた。膜面垂直方向の電気的耐圧は0.24MV/cmであった。見積もった誘起磁界は50Kで1gaussであった。 |
| 抄録(英) | Representative magnetoelectric (ME) Cr_2O_3 thin films were grown on R-cut sapphire and SrTiO_3(100) substrate in order to integrate with cuprate superconductors. The replacement of a base current of single flux quantum (SFQ) device is expected. Highly oriented Cr_2O_3 thin film grew on sapphire at 600℃ by off-axis DC-RF hybrid magnetron sputtering method with two-inches Cr metal target. The surface showed a step-terrace structure with surface roughness Ra of 0.80nm. Estimated induced magnetic field with electric field applied of 0.24MV/cm was 1.0 gauss around 50K. |
| キーワード(和) | 電気磁気効果 / Cr_2O_3 / R面 / エピタキシャル成長 / 単一磁束量子デバイス |
| キーワード(英) | Magnetoelectric effect / Cr_2O_3 / R-plane / Epitaxial growth / Single flux quantum device |
| 資料番号 | SCE2006-29 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2006/10/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超伝導デバイス応用を目指した電気磁気効果を示す酸化物薄膜の作製(デジタル,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparations of Magnetoelectric Oxide Films of Superconducting Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電気磁気効果 / Magnetoelectric effect |
| キーワード(2)（和/英） | Cr_2O_3 / Cr_2O_3 |
| キーワード(3)（和/英） | R面 / R-plane |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial growth |
| キーワード(5)（和/英） | 単一磁束量子デバイス / Single flux quantum device |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩田 展幸 / Nobuyuki IWATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 Electronics & Computer Science, College of Science & Technology, Nihon University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅田 毅 / Takeshi ASADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 Electronics & Computer Science, College of Science & Technology, Nihon University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長瀬 研二朗 / Kenjirou NAGASE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 Electronics & Computer Science, College of Science & Technology, Nihon University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山田 貴之 / Takayuki YAMADA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 Electronics & Computer Science, College of Science & Technology, Nihon University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本大学理工学部 Electronics & Computer Science, College of Science & Technology, Nihon University |
| 発表年月日 | 2006-11-02 |
| 資料番号 | SCE2006-29 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 334 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |