| 講演名 | 2006-10-06 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス) 小林 俊章, 小宮山 重利, 増山 佳宏, 本田 徹, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相成長(MOVPE)によって(0001)サファイア基板上に単層GaN膜を成長した.この単層GaN膜を使用してユニポーラ構造のショットキー型紫外発光ダイオード(ST-UV LED)の製作を行った.ST-LEDに逆方向バイアス,パルス波を印加したときサファイア基板側からGaNのバンド端付近の発光(NBE)が得られた.また,デバイス駆動中の発熱について検討するために高温領域のフォトルミネッセンス(PL)測定を行った.NBEのピークエネルギーは温度の上昇とともに低エネルギー側へシフトした.ST-LEDは駆動中に発生する発熱によってバンドギャップナローイングが生じていると考えられる.また,ST-LEDがディスプレイ応用のための集積化に適しているかを検討した. |
| 抄録(英) | Schottky-type light-emitting diodes (ST-LEDs) were fabricated using GaN layer grown on (0001) sapphire substrates by metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE). The near-bandegde emission (NBE) of GaN was observed from ST-LEDs with reverse bias and pulsed voltage condition. The spectra were detected from the sapphire-substrate side. Photoluminescence spectra of GaN layers were observed at the temperature from room temperature (RT) to 500K. The peak energy of NBE is shifted towards lower energy side as increasing the observed temperature. The heat generation in ST-LEDs was considered. ST-LEDs using the bandgap narrowing by the heat generation is proposed and their advantageous for integration is discussed. |
| キーワード(和) | GaN / LED / 有機金属気相成長 |
| キーワード(英) | GaN / LEDs / MOVPE |
| 資料番号 | ED2006-167,CPM2006-104,LQE2006-71 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 有機金属気相成長法によるGaN系ユニポーラUVLEDの製作(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GaN-based unipolar UV LEDs grown by MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | LED / LEDs |
| キーワード(3)（和/英） | 有機金属気相成長 / MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 俊章 / Toshiaki Kobayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering, Kogakuin University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小宮山 重利 / Shigetoshi Komiyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering, Kogakuin University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 増山 佳宏 / Yoshihiro Mashiyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering, Kogakuin University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 本田 徹 / Tohru Honda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 工学院大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering, Kogakuin University |
| 発表年月日 | 2006-10-06 |
| 資料番号 | ED2006-167,CPM2006-104,LQE2006-71 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 271 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |