| 講演名 | 2006-10-06 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) 財満 康太郎, 成田 哲生, 斎藤 真司, 橘 浩一, 名古 肇, 波多腰 玄一, 布上 真也, |
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| 抄録(和) | InGaN量子井戸を活性層とする発光ダイオード(Light Emitting Diode, LED)を試料として、電流注入による内部量子効率を評価する方法を検討した。パルス電流注入時のエレクトロルミネッセンスの発光緩和寿命の測定を用いた評価方法のモデルとその測定のための実験系を説明する。実際にLEDについて内部量子効率を見積もり、注入電流の増大とともに内部量子効率が増大していくことが観察された。 |
| 抄録(英) | The internal quantum efficiency of GaN-based light emitting diodes (LEDs) was analyzed by investigating electroluminescence lifetime. A model and experimental results of this method were described. The internal quantum efficiency increased as the injected current increased. |
| キーワード(和) | LED / 内部量子効率 / InGaN量子井戸 / エレクトロルミネッセンス / 発光寿命 |
| キーワード(英) | LED / internal quantum efficiency / InGaN multiple quantum well / electroluminescence / lifetime |
| 資料番号 | ED2006-166,CPM2006-103,LQE2006-70 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電流注入発光寿命によるGaN系LEDにおける内部量子効率の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of internal quantum efficiency of GaN-based light emitting diodes by investigating electroluminescence lifetime |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(2)（和/英） | 内部量子効率 / internal quantum efficiency |
| キーワード(3)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN multiple quantum well |
| キーワード(4)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / electroluminescence |
| キーワード(5)（和/英） | 発光寿命 / lifetime |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 財満 康太郎 / Kotaro ZAIMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 成田 哲生 / Tetsuo NARITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科電子情報システム専攻 Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 斎藤 真司 / Shinji SAITO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 橘 浩一 / Koichi TACHIBANA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 名古 肇 / Hajime NAGO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 波多腰 玄一 / Genichi HATAKOSHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター R&D Center, Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 布上 真也 / Shinya NUNOUE |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター R&D Center, Toshiba Corporation |
| 発表年月日 | 2006-10-06 |
| 資料番号 | ED2006-166,CPM2006-103,LQE2006-70 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 271 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |