| 講演名 | 2006-10-06 InGaN微小バルク結晶からの電子線励起発光の特徴(窒化物及び混晶半導体デバイス) 蟹江 壽, 瀬間 勇二, |
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| 抄録(和) | 予め合成しておいた窒化ガリウムとインジウム硫化物を混合してアンモニアで窒化する2段階作成法で合成した青色発光InGaN微結晶を,高い空間分解能をもつ分光CL装置で観察した.InGaN結晶はGaN晶癖面上に核を作ってから2次元成長していた.A面,M面上では,InGaNの2次元成長速度が速く核は融合して面全体を覆っていたが,C面上では速度が遅く島状で.C面に近い傾きをもつ{10-1x}面ほど速度がC面に近かった.C面,A面,M面上のInGaNの発光ピーク波長は410から430nmであまり変化しなかったが,発光強度は異なり,A面上のInGaNの発光強度はM面上より強かった.A面上で発光ピーク波長が440nmとなるInGaNを成長させる条件を探索する必要がある. |
| 抄録(英) | InGaN microcrystals with blue cathodoluminecence were prepared by the two-stage growth method: the nitridation of previously synthesized GaN and indium sulfide by ammonia, and observed under a highly spatially resolved cathodoluminescence equipment attached to an SEM. CL images showed InGaN on an a-plane has a high two-dimensional growth rate and high CL Intensity. |
| キーワード(和) | InGaN / GaN / 低電圧蛍光体 / CL / 2次元成長 |
| キーワード(英) | InGaN / GaN / low-voltage phosphor / CL / two-dimensional growth |
| 資料番号 | ED2006-165,CPM2006-102,LQE2006-69 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaN微小バルク結晶からの電子線励起発光の特徴(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Features of Cathodoluminescence from bulk InGaN microcrystals |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 低電圧蛍光体 / low-voltage phosphor |
| キーワード(4)（和/英） | CL / CL |
| キーワード(5)（和/英） | 2次元成長 / two-dimensional growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 蟹江 壽 / Hisashi KANIE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京理科大学基礎工学部 Faculty of Industrial Science and Technology, Tokyo University of Science |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 瀬間 勇二 / Yuji SEMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京理科大学基礎工学部 Faculty of Industrial Science and Technology, Tokyo University of Science |
| 発表年月日 | 2006-10-06 |
| 資料番号 | ED2006-165,CPM2006-102,LQE2006-69 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 271 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |