| 講演名 | 2006-10-06 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) 上田 雅也, 小島 一信, 船戸 充, 川上 養一, 成川 幸男, 向井 孝志, |
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| 抄録(和) | 半極性{11-22}GaN基板上にGaNおよびInGaN/GaN多重量子井戸(MQW)を有機金属気相成長し,その光学特性を評価した.まず,GaNホモエピタキシーの成長条件を検討し原子レベルで平坦な表面を得ることに成功した.光学反射測定ではA,B,C励起子が面内異方性を持っていることが確認された.フォトルミネッセンス(PL)スペクトルはA励起子による発光が支配的であり,その低エネルギー側にドナー束縛励起子によるシャープなダブレットの発光が観察された.さらに最適化した条件で成長したGaNホモエピタキシャル層上にInGaN/GaN MQWを作製した.波長428nmで観測した時間分解PLから,10Kでの再結合寿命が46psと142psと求められ,従来の(0001)面QWと比較して二桁ほど速いことがわかった.これは内部電界が低減され,輻射再結合確率が向上したことを示している.また,MQWのPLは,結晶の対称性を反映して,[1-100]方向に偏光度69%の強い偏光を示していた. |
| 抄録(英) | GaN and InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) are grown on semipolar (11-22) GaN bulk substrates by metalorganic vapor phase epitaxy. The GaN homoepitaxial layer has an atomically flat surface. Optical reflection measurements revealed the polarization anisotropy for the A, B, and C excitons. Free A excitons dominate photoluminescence (PL) spectrum at 10K, accompanied by a weaker, sharp doublet emission due to neutral donor-bound excitons. The InGaN/GaN MQW grown on it involves fast radiative recombination processes; the PL decay monitored at 428nm is fitted with a double exponential curve, which has lifetimes of 46ps and 142ps at 10K. These values are two-orders of magnitude shorter than those in conventional (0001) QWs and can be attributed to the weakened internal electric fields. The emission from the MQW is polarized along the [1-100] direction with a polarization degree of 0.69, due to the low crystal symmetry. |
| キーワード(和) | 半極性{11-22} / GaN / InGaN/GaN量子井戸 / 有機金属気相成長 |
| キーワード(英) | semipolar {11-22} / GaN / InGaN/GaN quantum wells / metalorganic vapor phase epitaxy |
| 資料番号 | ED2006-162,CPM2006-99,LQE2006-66 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial growth and optical properties of InGaN/GaN quantum wells on semipolar {11-22} GaN bulk crystals |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半極性{11-22} / semipolar {11-22} |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | InGaN/GaN量子井戸 / InGaN/GaN quantum wells |
| キーワード(4)（和/英） | 有機金属気相成長 / metalorganic vapor phase epitaxy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上田 雅也 / Masaya Ueda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小島 一信 / Kazunobu Kojima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 船戸 充 / Mitsuru Funato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川上 養一 / Yoichi Kawakami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 成川 幸男 / Yukio Narukawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日亜化学工業 Nitride Semiconductor Research Lab. Nichia Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 向井 孝志 / Takashi Mukai |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日亜化学工業 Nitride Semiconductor Research Lab. Nichia Corporation |
| 発表年月日 | 2006-10-06 |
| 資料番号 | ED2006-162,CPM2006-99,LQE2006-66 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 271 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |