| 講演名 | 2006-10-05 Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) 大来 英之, 見田 充郎, 佐野 芳明, 丸井 俊治, 伊藤 正紀, 星 真一, 戸田 典彦, 関 昇平, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | Si基板上にエピ成長したウェハを用いて、AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した。オーミック電極のリセス構造、及びゲート電極のリセス構造を検討した結果、電気特性の大幅な改善がなされ、ゲート長(L_g)が1μmの素子において400mS/mmを越える最大相互コンダクタンス(gm-max)を得た。3端子ドレインオフ耐圧(オフ耐圧)についても、1mA/mmで200V以上と、良好であった。また、L_g=0.2μmのT型ゲートHEMTにおいて、電流遮断周波数(f_T)56GHz、最大発信周波数(f_| )の変動、バラツキを確認するため、アライメント精度に優れたステッパ露光法を用いて、3インチSi基板上AlGaN/GaN-HEMTを作製した。エピ基板間の差異を最小にするため、同ウェハの下半分にリセスゲート構造を、上半分にノンリセスゲート構造を作製した。その結果、ゲートリセス部、ノンゲートリセス部のV_ | のそれぞれ標準偏差は43mVと75mVであり、リセスゲートプロセスによるV_ | のばらつきの増大しないことが分かった。また、L_g=0.7μm、ゲート幅W_g=420μm×2のデバイスにおいて、ロードプル測定を行った結果、動作周波数2.14GHz、動作電圧50Vにおいて、6.1W(7.2W/mm)の良好な飽和出力電力を得た。 | |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors) on Silicon substrate, with recessed ohmic and recessed gate electrodes were fabricated. By optimizing ohmic and gate recess depth, we obtained a superior maximum extrinsic trans-conductance (g_| ) by gate recessing, stepper exposure technique with fine alignment accuracy was used to fabricate AlGaN/GaN-HEMT on 3 inches Si substrate. To minimize difference of wafers, we made gate recessed part in the half, and non-gate recessed part in the other half, in the same wafer. As a result, we found that, the standard deviation of V_ | , in recessed and non-recessed part, was 43mV and 75mV respectively, which were very small. We also fabricated HEMTs with gate length of 0.7μm, with gate width of 840μm(420μm×2). From the load-pull power measurement at 2.14GHz, Vds of 50V bias, saturated output power (P_ | |
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| キーワード(和) | AlGaN/GaN-HEMT / Si基板 / リセスオーミック電極 / リセスゲート電極 / 高周波特性 / 面内均一性 | |||
| キーワード(英) | AlGaN/GaN-HEMT / Si substrate / recessed ohmic / recessed gate / RF characteristics / Uniformity | |||
| 資料番号 | ED2006-154,CPM2006-91,LQE2006-58 | |||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上に作製したAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | RF characteristics of AlGaN/GaN-HEMTs on Si substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN-HEMT / AlGaN/GaN-HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(3)（和/英） | リセスオーミック電極 / recessed ohmic |
| キーワード(4)（和/英） | リセスゲート電極 / recessed gate |
| キーワード(5)（和/英） | 高周波特性 / RF characteristics |
| キーワード(6)（和/英） | 面内均一性 / Uniformity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大来 英之 / Hideyuki OKITA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 研究開発本部 Research & Development Group, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 見田 充郎 / Juro MITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 研究開発本部 Research & Development Group, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐野 芳明 / Yoshiaki SANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 研究開発本部 Research & Development Group, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 丸井 俊治 / Toshiharu MARUI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 研究開発本部 Research & Development Group, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊藤 正紀 / Masanori ITO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 研究開発本部 Research & Development Group, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 星 真一 / Shinichi HOSHI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 研究開発本部 Research & Development Group, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 戸田 典彦 / Fumihiko TODA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 研究開発本部 Research & Development Group, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 関 昇平 / Shohei SEKI |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 沖電気工業株式会社 研究開発本部 Research & Development Group, Oki Electric Industry Co., Ltd. |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センタ Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2006-10-05 |
| 資料番号 | ED2006-154,CPM2006-91,LQE2006-58 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 271 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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