| 講演名 | 2006-10-05 AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス) 中田 健, 川崎 健, 松田 慶太, 五十嵐 武司, 八重樫 誠司, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HEMTは電子濃度・移動度が大きく絶縁破壊電界が高い為ために、低オン抵抗・高耐圧特性を実現するパワースイッチングデバイスへの応用が期待されているが、高耐圧化に向けての検討事項は多く残されている。今回、サファイア基板上のHEMTでは耐圧がバッファリーク電流に支配されていることを解明し、バッファ層へFeドープをすることでリーク電流が抑制できることを確認した。FeドープによりHEMTの耐圧が向上しオン抵抗3.7mΩcm^2のデバイスにおいて耐圧940Vと優れた特性を実現した。またシリコン基板上のHEMTでは基板・エピ垂直方向のリーク成分が支配的であり、耐圧改善にはエピの厚膜化が重要であることを検証した。 |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN HEMTs are attractive devices for high power switching applications because of their high electron mobility and high breakdown characteristics. But it is difficult to increase breakdown voltage because of large leakage current originated from the heteroepitaxial layer interface. To solve the issue, we have developed AlGaN/GaN HEMTs with Fe doped GaN buffer on Sapphire substrate. Fe doped GaN buffer suppress buffer leakage efficiently. We obtained the HEMT with the on-state resistance of 3.7 mΩcm^2 and the breakdown voltage of 940V. In the HEMT on Si substrate, leakage comes from vertical current flow through substrate. It is important to increase the epitaxial layer thickness for increase breakdown voltage. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / HEMT / パワーデバイス / 低オン抵抗 / 高耐圧 / Feドープ / 基板 |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / HEMT / power switching device / low specific on-state resistance / high breakdown voltage / Fe doping / Substrate |
| 資料番号 | ED2006-153,CPM2006-90,LQE2006-57 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Breakdown Voltage of AlGaN/GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | パワーデバイス / power switching device |
| キーワード(5)（和/英） | 低オン抵抗 / low specific on-state resistance |
| キーワード(6)（和/英） | 高耐圧 / high breakdown voltage |
| キーワード(7)（和/英） | Feドープ / Fe doping |
| キーワード(8)（和/英） | 基板 / Substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中田 健 / Ken Nakata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス(株) Eudyna Devices Inc. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川崎 健 / Takeshi Kawasaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス(株) Eudyna Devices Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松田 慶太 / Keita Matsuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス(株) Eudyna Devices Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 五十嵐 武司 / Takeshi Igarashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス(株) Eudyna Devices Inc. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 八重樫 誠司 / Seiji Yaegassi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ユーディナデバイス(株) Eudyna Devices Inc. |
| 発表年月日 | 2006-10-05 |
| 資料番号 | ED2006-153,CPM2006-90,LQE2006-57 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 271 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |