講演名 | 2006/9/28 PtSiの混晶化による仕事関数変調 大見 俊一郎, 澤熊 悠, 大熊 直樹, |
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抄録(和) | Ti、W、Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を行った。Pt/(Ti, W, Hf)/n-Si (100)積層構造を形成後に、窒素中600-850℃のアニールを行うことにより、Pt (Ti, W, Hf) Siの混晶シリサイドを形成した。まず、(Pt, Ti) Siの場合、PtSiのn-Siへの障壁高さ(0.85eV)と比較して、0.1eVの障壁高さの低減が可能であることが分かった。しかし、合金散乱によりシート抵抗の増大が顕著となることが分かった。次に、(Pt, W) Siの場合、十分なシリサイド化を行うことにより相分離し、界面付近にPtSiが形成されPtSiの仕事関数と同様の結果が得られることが分かった。最後に、(Pt, Hf) Siの場合、Hf組成を25%に増加させることにより若干シート抵抗が増大するものの、0.06eV程度障壁高さを低減できることが分かった。 |
抄録(英) | Work function modulation of PtSi by alloying with refractory metals, such as Ti, W and Hf, was investigated. After Pt/(Ti, W, Hf)/n-Si (100) stacked layers formations, Pt (Ti, W, Hf) Si silicidation was carried out by 600-850℃ annealing in N_2 ambient. In case of (Pt, Ti) Si, sheet resistance increased remarkably although a 0.1eV reduction of barrier height for electron was observed. In case of (Pt, W) Si, phase separation to PtSi and WSi_2 seemed to occur, and its barrier height was found to be same with that of PtSi probably because PtSi is dominant phase at silicide/n-Si interface. Finally, in case of (Pt, Hf) Si, 0.06eV reduction of barrier height was observed without significant increase of sheet resistance when Hf concentration was approximately 25%. |
キーワード(和) | PtSi / モノシリサイド / 混晶 / 仕事関数 / シート抵抗 |
キーワード(英) | PtSi / mono-silicide / alloy / work function / sheet resistance |
資料番号 | SDM2006-178 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | PtSiの混晶化による仕事関数変調 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Work Function Modulation of PtSi Alloying with Refractory Metals |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | PtSi / PtSi |
キーワード(2)(和/英) | モノシリサイド / mono-silicide |
キーワード(3)(和/英) | 混晶 / alloy |
キーワード(4)(和/英) | 仕事関数 / work function |
キーワード(5)(和/英) | シート抵抗 / sheet resistance |
第 1 著者 氏名(和/英) | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro OHMI |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻 Dept. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 澤熊 悠 / Yu SAWAKUMA |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻 Dept. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 大熊 直樹 / Naoki OHKUMA |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻 Dept. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology |
発表年月日 | 2006/9/28 |
資料番号 | SDM2006-178 |
巻番号(vol) | vol.106 |
号番号(no) | 277 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |