講演名 2006/9/28
PtSiの混晶化による仕事関数変調
大見 俊一郎, 澤熊 悠, 大熊 直樹,
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抄録(和) Ti、W、Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を行った。Pt/(Ti, W, Hf)/n-Si (100)積層構造を形成後に、窒素中600-850℃のアニールを行うことにより、Pt (Ti, W, Hf) Siの混晶シリサイドを形成した。まず、(Pt, Ti) Siの場合、PtSiのn-Siへの障壁高さ(0.85eV)と比較して、0.1eVの障壁高さの低減が可能であることが分かった。しかし、合金散乱によりシート抵抗の増大が顕著となることが分かった。次に、(Pt, W) Siの場合、十分なシリサイド化を行うことにより相分離し、界面付近にPtSiが形成されPtSiの仕事関数と同様の結果が得られることが分かった。最後に、(Pt, Hf) Siの場合、Hf組成を25%に増加させることにより若干シート抵抗が増大するものの、0.06eV程度障壁高さを低減できることが分かった。
抄録(英) Work function modulation of PtSi by alloying with refractory metals, such as Ti, W and Hf, was investigated. After Pt/(Ti, W, Hf)/n-Si (100) stacked layers formations, Pt (Ti, W, Hf) Si silicidation was carried out by 600-850℃ annealing in N_2 ambient. In case of (Pt, Ti) Si, sheet resistance increased remarkably although a 0.1eV reduction of barrier height for electron was observed. In case of (Pt, W) Si, phase separation to PtSi and WSi_2 seemed to occur, and its barrier height was found to be same with that of PtSi probably because PtSi is dominant phase at silicide/n-Si interface. Finally, in case of (Pt, Hf) Si, 0.06eV reduction of barrier height was observed without significant increase of sheet resistance when Hf concentration was approximately 25%.
キーワード(和) PtSi / モノシリサイド / 混晶 / 仕事関数 / シート抵抗
キーワード(英) PtSi / mono-silicide / alloy / work function / sheet resistance
資料番号 SDM2006-178
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2006/9/28(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) PtSiの混晶化による仕事関数変調
サブタイトル(和)
タイトル(英) Work Function Modulation of PtSi Alloying with Refractory Metals
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) PtSi / PtSi
キーワード(2)(和/英) モノシリサイド / mono-silicide
キーワード(3)(和/英) 混晶 / alloy
キーワード(4)(和/英) 仕事関数 / work function
キーワード(5)(和/英) シート抵抗 / sheet resistance
第 1 著者 氏名(和/英) 大見 俊一郎 / Shun-ichiro OHMI
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
Dept. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 澤熊 悠 / Yu SAWAKUMA
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
Dept. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 大熊 直樹 / Naoki OHKUMA
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
Dept. of Electronics and Applied Physics, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
発表年月日 2006/9/28
資料番号 SDM2006-178
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 277
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日