| 講演名 | 2006-10-06 MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) 中山 正昭, 田中 浩康, 安藤 雅信, 上村 俊也, |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We have investigated photoluminescence (PL) properties of a high quality GaN thin film grown by metal-organic vapor phase epitaxy under intense excitation conditions in a wide temperature range from 10 to 300K. It is found that there are two types of PL band peculiar to intense excitation conditions. In a low temperature region below 80K, the PL process is dominated by exciton-exciton scattering, the so-called P emission. On the other hand, in a high temperature region above～120K, a PL band, which is different from the P emission, appears. The energy spacing between the new PL band and the fundamental A exciton linearly increases with an increase in temperature. The energy spacing is estimated to be zero at absolute zero temperature by extrapolation of the temperature dependence. These PL profiles indicate that the PL band observed in the high temperature regime originates from exciton-electron scattering. Furthermore, we have confirmed that the exciton-electron scattering process produces optical gain leading to stimulated emission at room temperature. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | GaN / exciton / photoluminescence / exciton-exciton scattering / exciton-electron scattering / MOVPE |
| 資料番号 | ED2006-164,CPM2006-101,LQE2006-68 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoluminescence from inelastic scattering processes of excitons under intense-excitation conditions in a GaN thin film grown by Metal-organic vapor phase epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中山 正昭 / Masaaki Nakayama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学大学院工学研究科電子情報系専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 浩康 / Hiroyasu Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪市立大学大学院工学研究科電子情報系専攻 Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka City University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安藤 雅信 / Masanobu Ando |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊田合成株式会社 オプトE事業部 Optoelectronics Technical Division, Toyoda Gosei Company Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上村 俊也 / Toshiya Uemura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊田合成株式会社 オプトE事業部 Optoelectronics Technical Division, Toyoda Gosei Company Limited |
| 発表年月日 | 2006-10-06 |
| 資料番号 | ED2006-164,CPM2006-101,LQE2006-68 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 269 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |