| 講演名 | 2006-10-05 XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) 小野島 紀夫, 東脇 正高, 須田 淳, 木本 恒暢, 三村 高志, 松井 敏明, |
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| 抄録(和) | SiN保護膜(パッシベーション)の有無におけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ(HFET)のAlGaN表面バリアハイトについて、X線光電子分光および容量-電圧特性から詳細に評価した。SiNパッシベーションは触媒化学気相堆積法(Cat-CVD)を用いて行ったが、これにより2次元電子ガス(2DEG)濃度は増加することが分かっている。本報告では、Cat-CVDによるSiNパッシベーションによりAlGaN表面バリアハイトの減少が実際に引き起こされ、このことがAlGaN/GaN HFETの2DEG濃度を増加させる大きな要因である可能性があることを示す。 |
| 抄録(英) | AlGaN surface barrier heights in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with and without SiN passivation were estimated in detail by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and capacitance-voltage (C-V) measurements. SiN passivation was performed by catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD), which has been already found to increase two-dimensional electron gas (2DEG) density. In this contribution, we demonstrate that a reduction of AlGaN surface barrier height is actually induced by Cat-CVD SiN passivation, which is most likely to be a significant factor of increase in the 2DEG density of AlGaN/GaN HFETs. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ / SiNパッシベーション / 触媒化学気相堆積法 / 表面バリアハイト / X線光電子分光 / 容量-電圧特性 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor (HFET) / SiN passivation / catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) / surface barrier height / x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) / capacitance-voltage (C-V) |
| 資料番号 | ED2006-158,CPM2006-95,LQE2006-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | XPSおよびC-V測定によるCat-CVD SiN保護膜を有するAlGaN/GaN HFETの表面バリアハイト評価(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Estimation of AlGaN/GaN HFET surface barrier height with Cat-CVD SiN passivation by XPS and C-V measurements |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタ / AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor (HFET) |
| キーワード(2)（和/英） | SiNパッシベーション / SiN passivation |
| キーワード(3)（和/英） | 触媒化学気相堆積法 / catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) |
| キーワード(4)（和/英） | 表面バリアハイト / surface barrier height |
| キーワード(5)（和/英） | X線光電子分光 / x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) |
| キーワード(6)（和/英） | 容量-電圧特性 / capacitance-voltage (C-V) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小野島 紀夫 / Norio Onojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology (NICT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology (NICT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / Jun Suda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学 Kyoto University Kyotodaigaku |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学 Kyoto University Kyotodaigaku |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三村 高志 / Takashi Mimura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構:富士通研究所 National Institute of Information and Communications Technology (NICT):Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松井 敏明 / Toshiaki Matsui |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 National Institute of Information and Communications Technology (NICT) |
| 発表年月日 | 2006-10-05 |
| 資料番号 | ED2006-158,CPM2006-95,LQE2006-62 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 269 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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