講演名 2006-10-06
SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
山口 哲生, 石田 芳樹, 陳 晨, 萩原 正宜, 林部 林平, 山上 朋彦, 阿部 克也, 上村 喜一,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 熱窒化法とプラズマ窒化法によりSiC表面を直接窒化し,形成された窒化層をXPSを用いて評価した.窒化開始から数分で窒化層の成長が飽和し,極めて薄い層が形成された.窒化層からSi,C,O,Nのピークが検出された.これらのピークを分析した結果,窒化層は主にSiの酸窒化膜で構成されていることが示された.
抄録(英) Nitride layers were formed on SiC surface by thermal nitridation or plasma nitridation. The surface was characterized by using XPS. The thickness of the nitride layer increased with increasing nitridation time, and then saturated in several minutes. Extremely thin layer was detected at the SiC surface after the nitridation. The peaks from Si, C, O and N were detected at the SiC surface by XPS measurements. These peaks indicated that the surface layer was consisted of mainly SiON.
キーワード(和) SiC / 窒化 / MIS / SiN
キーワード(英) SiC / Nitridation / Nitride / MIS / SiN
資料番号 ED2006-173,CPM2006-110,LQE2006-77
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2006/9/28(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Nitridation of SiC Surface and Characterization by using XPS
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) SiC / SiC
キーワード(2)(和/英) 窒化 / Nitridation
キーワード(3)(和/英) MIS / Nitride
キーワード(4)(和/英) SiN / MIS
第 1 著者 氏名(和/英) 山口 哲生 / Tetsuo YAMAGUCHI
第 1 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 2 著者 氏名(和/英) 石田 芳樹 / Yoshiki ISHIDA
第 2 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 3 著者 氏名(和/英) 陳 晨 / Chen CHEN
第 3 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 4 著者 氏名(和/英) 萩原 正宜 / Masataka HAGIHARA
第 4 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 5 著者 氏名(和/英) 林部 林平 / Rinpei HAYASHIBE
第 5 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 6 著者 氏名(和/英) 山上 朋彦 / Tomohiko YAMAKAMI
第 6 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 7 著者 氏名(和/英) 阿部 克也 / Katsuya ABE
第 7 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 8 著者 氏名(和/英) 上村 喜一 / Kiichi KAMIMURA
第 8 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
発表年月日 2006-10-06
資料番号 ED2006-173,CPM2006-110,LQE2006-77
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 270
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日