| 講演名 | 2006-10-06 n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合 電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス) 甘利 浩一, 須田 淳, 木本 恒暢, |
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| 抄録(和) | n^+-GaN/p^+-SiCヘテロ接合ダイオードの電気的特性に関して,p^+-SiCのアクセプタ濃度(N_a)依存性について調べた.また,SiCポリタイプ(4H-および6H-SiC)との相関についても調べた.電流-電圧特性(I-V)においてN_a～10^<19> cm^<-3>を有するダイオードは,トンネル電流に支配されていることが分かった.一方で,N_a～10^<18> cm^<-3>を有するダイオードは優れた整流性を示し,さらにn-GaNからp-SiCへの電子注入効率という観点において6H-SiCが優れていることが示唆された.今回の研究結果により,以前の研究結果(N_a～10<16> cm^<-3>)と比較してp-SiCのドーピング濃度を2桁程度向上させつつ優れた整流性を得ることが出来た. |
| 抄録(英) | The electrical properties of n^+-GaN/p^+-SiC heterojunction diodes have been investigated by varying the acceptor concentration of p^+-SiC epilayers (N_a) and polytype of SiC (4H- and 6H-SiC). The current-voltage (I-V) characteristics of diodes with N_a～1x10^<19> cm^<-3> were dominated by tunneling-assisted current. The diodes with N_a～1x10^<18> cm^<-3> exhibit excellent characteristics and 6H-SiC may be a better choice from a view point of electron injection into p-SiC base. Compared to previous investigations (N_a<10^<16> cm^<-3>), we could obtain good rectification with p-SiC doped to two-order-of-magnitude higher acceptor concentration. |
| キーワード(和) | GaN / SiC / ヘテロ接合 / MBE / HBT / EL / ダイオード |
| キーワード(英) | GaN / SiC / heterojunction / MBE / HBT / EL / diode |
| 資料番号 | ED2006-172,CPM2006-109,LQE2006-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | n-GaN/p-SiC/n-SiCヘテロ接合バイポーラトランジスタのエミッタ接合 電気的特性に対するアクセプタ濃度の影響(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of acceptor concentration on electronic properties of n-GaN/p-SiC heterojunction for GaN/SiC heterojunction bipolar transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ接合 / heterojunction |
| キーワード(4)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | HBT / HBT |
| キーワード(6)（和/英） | EL / EL |
| キーワード(7)（和/英） | ダイオード / diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 甘利 浩一 / Koichi AMARI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京大院・工 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / Jun SUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京大院・工 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu KIMOTO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京大院・工 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2006-10-06 |
| 資料番号 | ED2006-172,CPM2006-109,LQE2006-76 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 270 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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