| 講演名 | 2006-10-05 マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス) 小坂 賢一, 藤嶌 辰也, 井上 薫, 檜木 啓宏, 山田 朋幸, 土屋 忠厳, 城川 潤二郎, 神谷 慎一, 鈴木 彰, 荒木 努, 名西 〓之, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaN HFETの実用化にむけて,信頼性の検討にはFET動作時における熱分布による解析が非常に重要となってくる。今回、Micro-Raman分光法を用いて高負荷での動作状態において素子温度の解析を行った。素子温度はGaNのE_2フォノンのラマンシフトから見積もった。V_g=-3V (DC), V_ |
| 抄録(英) | Improvement in performance and reliability of high power RF devices is a key issue for AlGaN/GaN HFETs (Hetero-junction Field Effect Transistors). In this work, we have measured the temperature distribution in AlGaN/GaN HFETs on SiC substrates actually operated around breakdown voltage. Temperature distribution of the HFET was determined using micro-Raman spectroscopy, estimated from Raman shift of GaN E_2 (High) phonon mode. We observed temperature distribution of HFET driven by V_g=-3V (DC) and V_ |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN HFETs / 高出力 / マイクロラマン分光法 / 温度分布 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HFETs / high-power operation / Micro-Raman spectroscopy / Temperature distribution |
| 資料番号 | ED2006-159,CPM2006-96,LQE2006-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET高電圧動作時の温度分布解析(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Distribution Analysis of AlGaN/GaN HFETs Operated at High Voltage Using Micro-Raman Spectroscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HFETs / AlGaN/GaN HFETs |
| キーワード(2)（和/英） | 高出力 / high-power operation |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロラマン分光法 / Micro-Raman spectroscopy |
| キーワード(4)（和/英） | 温度分布 / Temperature distribution |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小坂 賢一 / Kenichi KOSAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学 理工学部 Dept. of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤嶌 辰也 / Tatsuya FUJISHIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学 理工学部 Dept. of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井上 薫 / Kaoru INOUE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 新機能素子研究開発協会 Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 檜木 啓宏 / Akihiro HINOKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 立命館大学 理工学部 Dept. of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山田 朋幸 / Tomoaki YAMADA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 新機能素子研究開発協会 Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 土屋 忠厳 / Tadayoshi TSUCHIYA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 新機能素子研究開発協会 Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 城川 潤二郎 / Junjiroh KIKAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 新機能素子研究開発協会 Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 神谷 慎一 / Shinichi KAMIYA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 新機能素子研究開発協会 Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 鈴木 彰 / Akira SUZUKI |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 立命館大学 総合理工学研究機構:新機能素子研究開発協会 Res. Org. of Sci. & Eng., Ritsumeikan University:Advanced HF Device R&D Center, R&D Association for Future Electron Devices |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 荒木 努 / Tsutomu ARAKI |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 立命館大学 理工学部 Dept. of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 名西 〓之 / Yasushi NANISHI |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 立命館大学 理工学部 Dept. of Photonics, Ritsumeikan University |
| 発表年月日 | 2006-10-05 |
| 資料番号 | ED2006-159,CPM2006-96,LQE2006-63 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 270 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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