| 講演名 | 2006-10-05 X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス) 柏原 康, 増田 和俊, 松下 景一, 桜井 博幸, 高塚 眞治, 高木 一考, 川崎 久夫, 高田 賢治, 津田 邦男, |
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| 抄録(和) | 我々はX帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN HEMTをコンベンショナルなCuパッケージに実装した素子において、9.5GHz、CW動作、ドレイン電圧(V_ |
| 抄録(英) | AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) were developed for X-band applications. The operating voltage and temperature dependence of output power characteristics in CW operating conditions were investigated. The developed AlGaN/GaN HEMT with 11.52mm gate periphery exhibits output power of over 39.8W with a power added efficiency (PAE) of 28.4% under VDS=30V, CW operating condition at 9.5GHz. |
| キーワード(和) | AlGaN / GaN / HEMT / X帯 / 40W / 高出力 / チャネル温度 |
| キーワード(英) | AlGaN / GaN / HEMT / X-band / 40W / high power / channel temperature |
| 資料番号 | ED2006-152,CPM2006-89,LQE2006-56 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/9/28(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | X-band AlGaN/GaN HEMTs with 40W Output Power |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | X帯 / X-band |
| キーワード(5)（和/英） | 40W / 40W |
| キーワード(6)（和/英） | 高出力 / high power |
| キーワード(7)（和/英） | チャネル温度 / channel temperature |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 柏原 康 / Yasushi Kashiwabara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 増田 和俊 / Kazutoshi Masuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松下 景一 / Keiichi Matsushita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 桜井 博幸 / Hiroyuki Sakurai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高塚 眞治 / Shinji Takatsuka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高木 一考 / Kazutaka Takagi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 川崎 久夫 / Hisao Kawasaki |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部 Microwave Solid-State Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 高田 賢治 / Yoshiharu Takada |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター 先端電子デバイスラボラトリー Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 津田 邦男 / Kunio Tsuda |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター 先端電子デバイスラボラトリー Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center |
| 発表年月日 | 2006-10-05 |
| 資料番号 | ED2006-152,CPM2006-89,LQE2006-56 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 270 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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