講演名 2006-08-18
CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
大曽根 隆志, 石井 英二, 森下 賢幸, 小椋 清孝, 松田 敏弘, 岩田 栄之,
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抄録(和) ホットキャリアに起因するCMOSFETの信頼性がチャネル幅方向の中心付近か素子分離端近傍の何れで支配的に決定されるかを評価するために,4種類のMOSFET<即ち,チャネル幅方向に対して一定の短い(長い)チャネル長の[A]([D]MOSFET),中心付近と素子分離端近傍が短い(長い)及び長い(短い)チャネル長の[B]([C])MOSFET>で構成されるテスト構造を提案し,試作した.得られた信頼性データは3種類に大別され(即ち,[A],[B]/[C]と[D]),本CMOSFETの信頼性は中心付近と素子分離端近傍とで同等であると考えられる.
抄録(英) A test structure with four kinds of MOSFETs(i.e., [A]([D]) with a short(long) channel-length all over the channel width, [B]([C]) with the short(long) and the long(short) channel-length around the center and the both isolation-edges, respectively) was proposed to separately analyze the location where the hot-carrier-induced CMOSFET reliability is determined around the center or the isolation-edge along the channel-width. The reliability data were almost categorized into three (i.e., [A], [B]/[C] and [D]), which mean that the reliabilities are nearly the same around center or isolation-edge for the CMOSFETs.
キーワード(和) CMOSFET / 信頼性 / LDD構造 / チャネル幅 / 素子分離
キーワード(英) CMOSFET / reliability / LDD-type / channel width / isolation
資料番号 SDM2006-142,ICD2006-96
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2006/8/10(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) CMOSFETのチャネル幅方向の信頼性を分離して評価するためのテスト構造(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Test Structure to Separately Analyze CMOSFET Reliabilities along The Channel Width
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) CMOSFET / CMOSFET
キーワード(2)(和/英) 信頼性 / reliability
キーワード(3)(和/英) LDD構造 / LDD-type
キーワード(4)(和/英) チャネル幅 / channel width
キーワード(5)(和/英) 素子分離 / isolation
第 1 著者 氏名(和/英) 大曽根 隆志 / Takashi OHZONE
第 1 著者 所属(和/英) 岡山県立大学 情報工学部
Faculty of Computer Science and System Engineering, Okayama Prefectural University
第 2 著者 氏名(和/英) 石井 英二 / Eiji ISHII
第 2 著者 所属(和/英) 岡山県立大学 情報工学部
Faculty of Computer Science and System Engineering, Okayama Prefectural University
第 3 著者 氏名(和/英) 森下 賢幸 / Takayuki MORISHITA
第 3 著者 所属(和/英) 岡山県立大学 情報工学部
Faculty of Computer Science and System Engineering, Okayama Prefectural University
第 4 著者 氏名(和/英) 小椋 清孝 / Kiyotaka KOMOKU
第 4 著者 所属(和/英) 岡山県立大学 情報工学部
Faculty of Computer Science and System Engineering, Okayama Prefectural University
第 5 著者 氏名(和/英) 松田 敏弘 / Toshihiro MATSUDA
第 5 著者 所属(和/英) 富山県立大学 工学部
Faculty of Engineering, Toyama Prefectural University
第 6 著者 氏名(和/英) 岩田 栄之 / Hideyuki IWATA
第 6 著者 所属(和/英) 富山県立大学 工学部
Faculty of Engineering, Toyama Prefectural University
発表年月日 2006-08-18
資料番号 SDM2006-142,ICD2006-96
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 206
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日