| 講演名 | 2006-09-25 湿式法で作製したオリゴチオフェン有機トランジスタのポリマー絶縁膜界面の影響(有機材料・一般) 奥谷 浩, 梶井 博武, 福田 翔平, 大森 裕, |
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| 抄録(和) | 有機電界効果トランジスタ(OFET)の材料の一つにチオフェン系材料が良く知られているが、チオフェン系材料は溶媒に対し難溶であるため真空蒸着法にて作製するのが一般的な手法とされている。一方で、有機デバイスのプロセス優位性を活かすためにはウェットプロセスが不可欠である。そこで本研究では、チオフェン系材料の中でも良好なOFET特性が報告されているオリゴチオフェン(DH-6T)を用いて、ウェットプロセスの中でもスピンコート法によりOFET特性を作製し、及びその特性改善へ向けた検討を行った。結果として溶液を高温加熱することでDH-6Tが可溶化し、スピンコート法にてDH-6Tの重量比が89wt%の時に移動度が0.028cm^2/Vsの特性を有するOFETを作製することに成功した。さらに、絶縁層表面にOTS処理を施すことにより閾値電圧を45.3Vから-2.8Vにまで減少させることができ、ノーマリーオフ型OFETへの改善を見出した。 |
| 抄録(英) | Top contact organic field-effect transistors (OFETs) based on a composite of α, ω-dihexylsexithiophene (DH-6T) using poly (3-hexylthiophene) (PAT6) with the same thiophene backbone were fabricated by spin coating using an annealing solution of PAT6 and DH-6T. The size of grains with a sphere like morphology increased with the mass percentage of DH-6T in the composite. In the case of a DH-6T composite of more than 80 weight (wt)%, the field-effect mobility of the OFET rapidly increased. An OFET with an 89 wt% DH-6T composite corresponding to two molecules of DH-6T per hexylthiophene repeating unit had a carrier mobility of 0.028 cm^2/Vs. The different morphologies of the OFETs with non-OTS treated and OTS-treated gate insulators result in the improvement of field-effect mobility. We demonstrated that it is possible to achieve high field-effect mobility and a high on/off ratio of the OFET using soluble DH-6T with PAT6 composites fabricated by spin coating. |
| キーワード(和) | 有機トランジスタ / オリゴチオフェン / ウェットプロセス / OTS |
| キーワード(英) | organic transistors / oligothiophene / wet process / OTS |
| 資料番号 | OME2006-77 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2006/9/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 湿式法で作製したオリゴチオフェン有機トランジスタのポリマー絶縁膜界面の影響(有機材料・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface effect of polymer gate insulator in oligothiophene organic transistors fabricated by wet process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機トランジスタ / organic transistors |
| キーワード(2)（和/英） | オリゴチオフェン / oligothiophene |
| キーワード(3)（和/英） | ウェットプロセス / wet process |
| キーワード(4)（和/英） | OTS / OTS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 奥谷 浩 / Hiroshi Okuya |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学 先端科学イノベーションセンター Osaka University, Center for Advanced Science and Innovation (CASI) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 梶井 博武 / Hirotake KAJII |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学 先端科学イノベーションセンター Osaka University, Center for Advanced Science and Innovation (CASI) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福田 翔平 / Shohei Fukuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学 先端科学イノベーションセンター Osaka University, Center for Advanced Science and Innovation (CASI) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大森 裕 / Yutaka OHMORI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学 先端科学イノベーションセンター Osaka University, Center for Advanced Science and Innovation (CASI) |
| 発表年月日 | 2006-09-25 |
| 資料番号 | OME2006-77 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 252 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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