| 講演名 | 2006-09-26 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 羽根 正巳, 池澤 健夫, 河田 道人, 江崎 達也, 山本 豊二, |
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| 抄録(和) | 反転層の量子化サブバンドを考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーションの手法を用いて、一軸応力を印加したnMOSFETのドレイン電流を計算。{100}面上のnMOSFETにチャネル方向一軸性伸張歪を印加した場合,オン電流増大率は<110>軸チャネルでは増加するものの、<100>では比較的早く低いレベルで飽和するという計算結果となった。これら電流増減及び増大率飽和の物理機構にういてモンテカルロシミュレーションの統計的解析結果を示した。 |
| 抄録(英) | Simulation analysis of channel-orientation effects on strained silicon MOSFETs based on a full-band Monte Carlo method considering sub-band structures in the channel region was presented. Simulation results show that the nMOSFET drain-current increases with applying uniaxial tensile stress while it exhibits different behavior for <100> and <110> different channel directions. Further detailed analyses have been made to clarify appropriate physical mechanism of the drive-current-increase by means of a source-side-injection/backscattering concept. |
| キーワード(和) | 歪シリコン / フルバンドモンテカルロ / サブバンド / チャネル方位 |
| キーワード(英) | Strained Silicon / Full-band Monte Carlo / subband / channel orientation |
| 資料番号 | VLD2006-50,SDM2006-171 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2006/9/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Self-consistent full-band Monte Carlo device simulation for strained nMOSFETs incorporating vertical quantization, multi-subband, and different channel orientation effects |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 歪シリコン / Strained Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | フルバンドモンテカルロ / Full-band Monte Carlo |
| キーワード(3)（和/英） | サブバンド / subband |
| キーワード(4)（和/英） | チャネル方位 / channel orientation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 羽根 正巳 / Masami HANE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC(株)システムデバイス研究所 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 池澤 健夫 / Takeo IKEZAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC情報システムズ NEC Informatec Systems, Inc. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 河田 道人 / MIichihito KAWADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC情報システムズ NEC Informatec Systems, Inc. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江崎 達也 / Tatsuya EZAKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学 / Hiroshima University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山本 豊二 / Toyoji YAMAMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | MIRAI-ASET |
| 発表年月日 | 2006-09-26 |
| 資料番号 | VLD2006-50,SDM2006-171 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 255 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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