講演名 | 2006-09-26 非平衡グリーン関数に基づくナノスケールデバイスの量子輸送モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) フィトリアワン ヘルミー, 相馬 聡文, 小川 真人, 三好 旦六, |
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抄録(和) | デバイスサイズの縮小化がナノメータのオーダにまで進み,そのようなデバイスでの量子輸送現象を記述するには従来の有効質量近似では不十分で,より現実的なフルバンド構造を取り入れた解析が必要となりつつある。本研究では,ナノスケールn-i-nダイオード構造とダブルゲートMOSFET構造内での量子輸送現象を,現実的なフルバンド構造を取り入れた非平衡Green関数法とポアソン方程式との自己無撞着計算によって解析した結果を報告する。Siバンド構造の非放物線性と非等方性についても解析と検討を行った。その結果,従来用いられてきた有効質量近似モデルと本報告の多バンドモデルとでは極めて大きな特性の差が生じることが明らかになった。 |
抄録(英) | Aggressive scaling of devices has reduced device dimensions into nanometer scale in which the single-band effective mass model is insufficient to simulate quantum transport in such devices. Thus it motivates the use of more realistic full band structures in quantum transport simulations. In this paper we report the analysis of multiband quantum transport in nano-scale devices and doublegate MOSFETs based on a non-equilibrium Green's function (NEGF) formalism coupled self-consistently with the Poisson equation. The effects of non-parabolic bandstructure as well as anisotropic features of Si are studied and analyzed. Our multiband simulation results show significant differences with those of conventional effective mass model. |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | non-equilibrium green's function / multiband carrier transport / nano-scale devices / double-gate MOSFETs |
資料番号 | VLD2006-49,SDM2006-170 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
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開催期間 | 2006/9/19(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | 非平衡グリーン関数に基づくナノスケールデバイスの量子輸送モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Quantum Electron Transport Modeling in Nano-Scale Devices Based on Multiband Non-Equilibrium Green's Function Method |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | / non-equilibrium green's function |
第 1 著者 氏名(和/英) | フィトリアワン ヘルミー / Helmy FITRIAWAN |
第 1 著者 所属(和/英) | 神戸大学自然科学研究科 Graduate School of Science and Technology, Kobe University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 相馬 聡文 / Satofumi SOUMA |
第 2 著者 所属(和/英) | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 小川 真人 / Matsuto OGAWA |
第 3 著者 所属(和/英) | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 三好 旦六 / Tanroku MIYOSHI |
第 4 著者 所属(和/英) | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
発表年月日 | 2006-09-26 |
資料番号 | VLD2006-49,SDM2006-170 |
巻番号(vol) | vol.106 |
号番号(no) | 255 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |