| 講演名 | 2006-09-26 歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 三成 英樹, 森 伸也, |
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| 抄録(和) | 非平衡グリーン関数法に半経験的なsp^3d^5s^*強結合近似法を導入した量子輸送シミュレータを用いて1次元シリコンナノ構造のバリスティック電流を計算した.特に,シリコンナノ構造に歪領域を導入することによるバリスティック電流の変化について詳細に調べた. |
| 抄録(英) | We have numerically calculated ballistic current in one-dimensional silicon nanostructures with a strained layer using a non-equilibrium Green's function method combined with an empirical sp^3d^5s^* tight-binding approximation. |
| キーワード(和) | シリコン / 強結合近似法 / 非平衡グリーン関数法 / 歪 |
| キーワード(英) | silicon / tight-binding approximation / non-equilibrium Green's function method / strain |
| 資料番号 | VLD2006-48,SDM2006-169 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2006/9/19(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Quantum Transport Simulation of Ballistic Current in Silicon Nanostructures with a Strained Layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 強結合近似法 / tight-binding approximation |
| キーワード(3)（和/英） | 非平衡グリーン関数法 / non-equilibrium Green's function method |
| キーワード(4)（和/英） | 歪 / strain |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三成 英樹 / Hideki MINARI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学 大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森 伸也 / Nobuya MORI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学 大学院工学研究科 Graduate School of Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2006-09-26 |
| 資料番号 | VLD2006-48,SDM2006-169 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 255 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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