| 講演名 | 2006-09-26 ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 土屋 英昭, 藤井 一也, 森 隆志, 三好 旦六, |
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| 抄録(和) | キャリアのバリスティック輸送は,MOSFETの電流駆動力を向上させるテクノロジーブースターの一つとして期待されている。本稿では,量子補正を取り入れたモンテカルロ・シミュレーションを用いて,チャネルソース端におけるキャリア注入速度,後方散乱確率およびバリスティック効率等についての定量的評価を行った。その結果,バリスティック輸送効果はチャネル長が30nm以下で現れ始め,10nm以下のチャネル長ではその効果が飽和することが分かった。また,量子補正モンテカルロ法により得られたバリスティック輸送係数は,最近の実験結果と良い一致を示すことも分かった。 |
| 抄録(英) | Quasi-ballistic transport is one of the technology boosters for drive current enhancement of Si-MOSFETs. In this paper, to explore its ultimate device performance we study a quasi-ballistic transport in nanoscale Si-MOSFETs based upon a quantum-corrected Monte Carlo device simulation. We found that when a channel length becomes shorter than 30nm, an electron average velocity at source-end of channel increases due to ballistic transport effects, and then it approaches a ballistic limit in the sub-10nm regime. We also demonstrated that ballistic transport indexes estimated by our simulation agree well with recent experimental results. |
| キーワード(和) | ナノスケールMOSFET / 量子効果 / バリスティック輸送 / 量子補正モンテカルロ法 |
| キーワード(英) | nanoscale MOSFET / quantum effects / quasi-ballistic transport / quantum-corrected Monte Carlo method |
| 資料番号 | VLD2006-47,SDM2006-168 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2006/9/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ballistic Transport in Nanoscale MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノスケールMOSFET / nanoscale MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 量子効果 / quantum effects |
| キーワード(3)（和/英） | バリスティック輸送 / quasi-ballistic transport |
| キーワード(4)（和/英） | 量子補正モンテカルロ法 / quantum-corrected Monte Carlo method |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 土屋 英昭 / Hideaki TSUCHIYA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤井 一也 / Kazuya FUJII |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 隆志 / Takashi Mori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三好 旦六 / Tanroku MIYOSHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部 Faculty of Engineering, Kobe University |
| 発表年月日 | 2006-09-26 |
| 資料番号 | VLD2006-47,SDM2006-168 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 255 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |