| 講演名 | 2006-09-26 ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 園田 賢一郎, 石川 清志, 栄森 貴尚, 土屋 修, |
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| 抄録(和) | 離散不純物効果がランダム・テレグラフ・シグナル(RTS)によるMOSFETのしきい値電圧変動量に与える影響を議論する.離散不純物効果を考慮した3次元デバイスシミュレーションの結果によれば,しきい値自体は正規分布に従うのに対して,RTSによるしきい値電圧変動量は対数正規分布に従う.しきい値電圧変動量の分布は離散不純物効果による表面ポテンシャルのゆらぎから導いた解析式モデルで表現できる.RTSによるしきい値電圧変動は50nmノード以降のフラッシュメモリの動作に深刻な影響を与えることが予想される. |
| 抄録(英) | This paper discusses the discrete channel dopant effects on the threshold voltage shift by random telegraph signal (RTS) in MOSFETs. Appropriate grid spacing to incorporate discrete dopant effects in three dimensional device simulation is addressed to obtain consistent results with continuum limit. Considering discrete dopant effects, the threshold voltage shift of MOSFETs by RTS follows the log-normal distribution, while the threshold voltage itself follows the normal distribution. An analytical model for the distribution of the threshold voltage shift is also presented. The threshold voltage shift by RTS will become a serious concern in 50nm flash memories and beyond. |
| キーワード(和) | ランダム・テレグラフ・シグナル / MOSFET / しきい値電圧 / 離散不純物 |
| キーワード(英) | random telegraph signal / MOSFET / threshold voltage / discrete dopant |
| 資料番号 | VLD2006-42,SDM2006-163 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2006/9/19(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Modeling of Discrete Dopant Effects on Threshold Voltage Shift by Random Telegraph Signal |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ランダム・テレグラフ・シグナル / random telegraph signal |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | しきい値電圧 / threshold voltage |
| キーワード(4)（和/英） | 離散不純物 / discrete dopant |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 園田 賢一郎 / Ken'ichiro SONODA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 清志 / Kiyoshi ISHIKAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 栄森 貴尚 / Takahisa EIMORI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 土屋 修 / Osamu TSUCHIYA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 発表年月日 | 2006-09-26 |
| 資料番号 | VLD2006-42,SDM2006-163 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 255 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |