| 講演名 | 2006-09-26 ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 永久 克己, 岡垣 健, 谷沢 元昭, 石川 清志, 土屋 修, |
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| 抄録(和) | コンパクトモデルのパラメータ抽出を含む新しいワーストケースモデルの生成方法を提案する.本手法により,デバイス開発の早期段階において物理的に正確なワーストケース予測をコンカレントに実現可能になる.TEG解析とTCADを用いたシミュレーションにより,プロセス因子間の相関がワーストケースコーナーの予測に重大なインパクトを有することが明らかとなった.さらに,パラメータ間の相関を考慮できる誤差伝播法に基づく新しいコンパクトモデルパラメータ抽出法を開発した. |
| 抄録(英) | A novel methodology is presented to generate the worst-case model including extraction of its compact model parameters. This method enables physically accurate worst-case prediction in the early stage of device development concurrently. It is found through intensive TEG analysis and TCAD simulation that correlations between process factors have a significant impact on the worst-case corner estimation. A new extraction method of compact model parameters based on error propagation analysis is developed to consider correlations between parameters. |
| キーワード(和) | ばらつき / ワーストケースモデル / TEG / 応答曲面法 / 統計的パラメータ抽出 |
| キーワード(英) | Variability / Worst-Case Model / TEG / RSM / Statistical Parameter Extraction |
| 資料番号 | VLD2006-41,SDM2006-162 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2006/9/19(から1日開催) |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Global Identification of Variability Factors and Its Application to the Statistical Worst-Case Model Generation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ばらつき / Variability |
| キーワード(2)（和/英） | ワーストケースモデル / Worst-Case Model |
| キーワード(3)（和/英） | TEG / TEG |
| キーワード(4)（和/英） | 応答曲面法 / RSM |
| キーワード(5)（和/英） | 統計的パラメータ抽出 / Statistical Parameter Extraction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永久 克己 / Katsumi EIKYU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡垣 健 / Takeshi OKAGAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 谷沢 元昭 / Motoaki TANIZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石川 清志 / Kiyoshi ISHIKAWA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 土屋 修 / Osamu TSUCHIYA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)ルネサステクノロジ Renesas Technology Corp. |
| 発表年月日 | 2006-09-26 |
| 資料番号 | VLD2006-41,SDM2006-162 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 255 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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