| 講演名 | 2006-09-26 離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 芦澤 芳夫, 岡 秀樹, |
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| 抄録(和) | 微細化にともない原子レベルの不純物分布がデバイス特性に与えるばらつきが問題となっている.離散的な不純物のδ関数的な濃度分布は数値的に不安定なので,分布に広がりを持たせたせてドリフト拡散に取り込むことが試みられている.しかし,それが不純物散乱の描像の分解能を低下させるとの指摘もある.本研究では,離散的な不純物の扱いの基礎的検討をおこない,離散的な分布のままドリフト拡散で取り扱う方法を述べる. |
| 抄録(英) | The density gradient approach is presented to device characteristics analysis with random dopant fluctuations. We investigate the basic characteristics for charge assignment and effective mobility to introduce density gradient approach into 3D atomistic device simulation. We demonstrate the resolution for electrostatic impurity scattering with SG SOI device structure. |
| キーワード(和) | 離散的不純物 / 密度勾配法 / 離散化誤差 / 原子レベル / Sanoモデル |
| キーワード(英) | Random Discrete Dopant / Density Gradient / Discretization Error / Atomistic / Sano Model |
| 資料番号 | VLD2006-40,SDM2006-161 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD |
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| 開催期間 | 2006/9/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 3D Atomistic Density Gradient Device Simulation Considering Random Doping Induced Fluctuations for MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 離散的不純物 / Random Discrete Dopant |
| キーワード(2)（和/英） | 密度勾配法 / Density Gradient |
| キーワード(3)（和/英） | 離散化誤差 / Discretization Error |
| キーワード(4)（和/英） | 原子レベル / Atomistic |
| キーワード(5)（和/英） | Sanoモデル / Sano Model |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 芦澤 芳夫 / Yoshio ASHIZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岡 秀樹 / Hideki OKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社富士通研究所 Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 発表年月日 | 2006-09-26 |
| 資料番号 | VLD2006-40,SDM2006-161 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 255 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |