講演名 | 2006-09-25 CMOSイメージセンサの感度特性と評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) 金 允〓, 池田 誠, 浅田 邦博, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | CMOS技術は微細化しつつある。それに従い、CMOSイメージセンサの感度特性も低下していく。高感度イメージセンサは、各プロセスにおける感度特性のスケーリングはCMOSイメージセンサの設計に重要である。本稿では、CMOS 0.35μm、0.6μmプロセスによるイメージセンサの感度特性を測定した結果を報告する。また、微細化の進んだプロセスの感度特性をスケーリングし、評価した。 |
抄録(英) | CMOS technologies are improved in deep sub-micron technologies. CMOS based imagers in advanced processes have low sensitivity characteristics. It is important to scale the trend of sensitivity characterisitcs for a high sensitivity imager. In this paper, we show the sensitivity characteristics of CMOS based imagers fabricated by 0.35μm, 0.6μm technologies, and we show the trends of sensitivity in advanced processes. |
キーワード(和) | CMOSイメージセンサ / 分光感度 / 量子効率 |
キーワード(英) | CMOS image sensor / spectral sensitivity / quantum efficiency |
資料番号 | VLD2006-34,SDM2006-155 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
---|---|
開催期間 | 2006/9/18(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
---|---|
本文の言語 | ENG |
タイトル(和) | CMOSイメージセンサの感度特性と評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Sensitivity of CMOS Image Sensor and Scaling |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | CMOSイメージセンサ / CMOS image sensor |
キーワード(2)(和/英) | 分光感度 / spectral sensitivity |
キーワード(3)(和/英) | 量子効率 / quantum efficiency |
第 1 著者 氏名(和/英) | 金 允〓 / YunKyung KIM |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京大学 大学院 工学系研究科 Dept. of Electronic Engineering, University of Tokyo |
第 2 著者 氏名(和/英) | 池田 誠 / Makoto IKEDA |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京大学 大学院 工学系研究科:東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター Dept. of Electronic Engineering, University of Tokyo:VLSI Design and Education Center, University of Tokyo |
第 3 著者 氏名(和/英) | 浅田 邦博 / Kunihiro ASADA |
第 3 著者 所属(和/英) | 東京大学 大学院 工学系研究科:東京大学 大規模集積システム設計教育研究センター Dept. of Electronic Engineering, University of Tokyo:VLSI Design and Education Center, University of Tokyo |
発表年月日 | 2006-09-25 |
資料番号 | VLD2006-34,SDM2006-155 |
巻番号(vol) | vol.106 |
号番号(no) | 254 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |