| 講演名 | 2006-08-04 窒化ハフニウムを陰極とした電界放出電子源の作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) 後藤 康仁, 瀬戸島 範幸, 神澤 太郎, 小島 俊彦, 藤井 亮一, 辻 博司, 石川 順三, |
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| 抄録(和) | 遷移金属窒化物の持つ性質は冷陰極材料として望ましい。遷移金属窒化物の中でも、窒化ハフニウムは窒化タンタルとともに仕事関数が低く、電子放出材料として適当と考えられる。今回、シリコンコーンの上に窒化ハフニウム薄膜を形成し、その後、絶縁層、ゲート層を成膜、ゲート開口を形成して窒化ハフニウムを陰極とする微小電子源を作製した。また作製した電子源の電圧電流特性を測定した。 |
| 抄録(英) | The properites of the transition metal nitrides meet the requirements for the cold cathode meterial. Among the transition metal nitrides, hafnium nitride has the lowest work function as tantalum nitride, and therefore, the material is considered to be a good cathode for electron emission. We deposited hafnium nitride thin film onto the silicon cone arrays, followed by depositions of insulating layer and gate electrode. Gate aperture was then fabricated, and the electron emission arrays were fabricated. The report also shows some typical examples of voltage-current characteristics. |
| キーワード(和) | 窒化ハフニウム / 電界放出電子源 / 電圧電流特性 |
| キーワード(英) | Hafnium nitride / field emission cathode / voltage-current characteristics |
| 資料番号 | ED2006-129 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2006/7/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 窒化ハフニウムを陰極とした電界放出電子源の作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrcation of field emission array with hafnium nitride cathode |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化ハフニウム / Hafnium nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 電界放出電子源 / field emission cathode |
| キーワード(3)（和/英） | 電圧電流特性 / voltage-current characteristics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 後藤 康仁 / Yasuhito GOTOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 瀬戸島 範幸 / Noriyuki SETOJIMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 神澤 太郎 / Taro KANZAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小島 俊彦 / Toshihiko KOJIMA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤井 亮一 / Ryoichi FUJII |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 辻 博司 / Hiroshi TSUJI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石川 順三 / Junzo ISHIKAWA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 2006-08-04 |
| 資料番号 | ED2006-129 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 200 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 2 |
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