| 講演名 | 2006-08-03 ダイヤモンド電子放出素子の開発 : n型エミッタへの展開(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) 西林 良樹, 辰巳 夏生, 難波 暁彦, 山本 喜之, 今井 貴浩, |
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| 抄録(和) | これまで我々はダイヤモンドの微細先端をもつTipアレイを均一に加工する技術を開発し、均一な電子放出を得て、大電流を得るダイヤモンド電子放出素子を検討してきた。均一なTipをもつ素子から歩留まりよく電子放出特性を得るためには、大面積の基板を利用することが一つの重要なポイントであった。しかしながら、電子放出特性の良好なn型エミッタを作製するためには(111)単結晶基板が必要であり、大面積基板を用意することが困難であった。今回は単結晶(111)基板と多結晶の複合基板を開発し、この問題を解決した。最終的に1mm^2の面積から総計約1103mAの放出電流を得ることができた。 |
| 抄録(英) | The authors have developed uniform diamond emitter array devices for n-type. In order to achieve that, it is important to use our uniform fabrication technique and a large complex substrate developed in our laboratories, which has single crystal (111) plane in polycrystalline film. The authors have grown n-type film on the complex substrate successfully. In this paper, the authors report on uniform fabrication of n-type emitter devices and large total current of 1103mA at 1mm^2 from the sample. |
| キーワード(和) | ダイヤモンド / n型 / 複合基板 / 均一加工 / 大電流 / 電子源 |
| キーワード(英) | diamond / n-type / complex substrate / uniform fabrication / large emission current / electron source |
| 資料番号 | ED2006-123 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2006/7/27(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ダイヤモンド電子放出素子の開発 : n型エミッタへの展開(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of diamond electron emitter devices : Approach for n-type emitter |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイヤモンド / diamond |
| キーワード(2)（和/英） | n型 / n-type |
| キーワード(3)（和/英） | 複合基板 / complex substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 均一加工 / uniform fabrication |
| キーワード(5)（和/英） | 大電流 / large emission current |
| キーワード(6)（和/英） | 電子源 / electron source |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西林 良樹 / Yoshiki NISHIBAYASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 半導体技術研究所 Semiconductor Technologies R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 辰巳 夏生 / Natsuo TATSUMI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 半導体技術研究所 Semiconductor Technologies R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 難波 暁彦 / Akihiko NAMBA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 半導体技術研究所 Semiconductor Technologies R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 喜之 / Yoshiyui YAMAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 半導体技術研究所 Semiconductor Technologies R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 今井 貴浩 / Takahiro IMAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 半導体技術研究所 Semiconductor Technologies R&D Laboratories, Sumitomo Electric Industries, Ltd. |
| 発表年月日 | 2006-08-03 |
| 資料番号 | ED2006-123 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 200 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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