| 講演名 | 2006-08-08 マグネトロンスパッタリングで作製した厚膜CeO_2バッファ層の表面性状の制御 太田 靖之, 佐久間 純, 木村 豊, 益子 弘識, 道上 修, |
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| 抄録(和) | CeO_2をバッファ層として用いたR-Al_2O_3基板は高温超伝導薄膜の作製において有望である。しかし、バッファ層の表面性状がその上に堆積した超伝導薄膜の超伝導特性に大きく影響を与える。厚膜CeO_2バッファ層の表面性状を制御するため、スパッタリングを用いたバッファ層作製時の成長条件(off-center距離(D_ |
| 抄録(英) | CeO_2 buffered R-Al_2O_3 substrates are promising in the fabrication of a high temperature superconducting (HTS) thin film. However, The surface morphology of buffer layer greatly affects superconducting characteristic of HTS thin film. In the present work, the growth condition (off-center distance (D_ |
| キーワード(和) | CeO_2 / 表面性状 / マグネトロンスパッタリング / EuBa_2Cu_3O_<7-δ> |
| キーワード(英) | CeO_2 / surface morphology / magnetron sputtering / EuBa_2Cu_3O_<7-δ> |
| 資料番号 | CPM2006-49 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/7/31(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | マグネトロンスパッタリングで作製した厚膜CeO_2バッファ層の表面性状の制御 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The control of the surface morphology of thick CeO_2 buffer layer prepared by magnetron sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CeO_2 / CeO_2 |
| キーワード(2)（和/英） | 表面性状 / surface morphology |
| キーワード(3)（和/英） | マグネトロンスパッタリング / magnetron sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | EuBa_2Cu_3O_<7-δ> / EuBa_2Cu_3O_<7-δ> |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 太田 靖之 / Yasuyuki OTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Facuty of Engineering Iwate University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐久間 純 / Jun SAKUMA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Facuty of Engineering Iwate University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木村 豊 / Yutaka KIMURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Facuty of Engineering Iwate University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 益子 弘識 / Hiroshi MASHIKO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Facuty of Engineering Iwate University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 道上 修 / Osamu MICHIKAMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 岩手大学工学部 Facuty of Engineering Iwate University |
| 発表年月日 | 2006-08-08 |
| 資料番号 | CPM2006-49 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 203 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |