| 講演名 | 2006-08-07 MOCVD法によるSi(100)基板上ZnO薄膜形成 輪島 寿夫, 廣瀬 文彦, |
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| 抄録(和) | 我々はナノスケール線材の電子デバイス応用のため、半導体において多用されているSi基板を用いて、その上にZnO針状結晶の作製をMOCVD法を用いて試みた。基板温度によって配向性、表面形状、成長速度に変化が見られ、針状結晶の作製には温度制御が重要であることを見出した。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | CPM2006-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/7/31(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法によるSi(100)基板上ZnO薄膜形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 輪島 寿夫 |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山形大学 |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 文彦 |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山形大学 |
| 発表年月日 | 2006-08-07 |
| 資料番号 | CPM2006-42 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 203 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |