講演名 2006-08-25
ポリイミド薄膜基板上に形成した超薄型有機フレキシブルFET素子の特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
香取 重尊, 小松 徳太郎, 栗原 隆, 下地 規之, 松重 和美,
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抄録(和) 我々は基板の厚みを制御することにより高いフレキシビリティが得られることに着目し、厚さ10μmを切る薄膜基板上の有機FET素子の開発に成功した。基板として厚さ5μmのポリイミドフィルムを使用し、その上にゲート電極、ゲート絶縁膜、S-D電極を形成し、活性層としてペンタセンを50nm蒸着した。得られたFET素子は移動度0.02cm^2/Vs、On/Off比10^4、リーク電流が10^<-10>Aであった。また、曲率半径1.5mm程度では変形前後において塑性変形することなく容易に元の形状を回復し、さらに特性変化が生じない有機FET素子の開発に成功した。
抄録(英) We developed ultra thin pentacene field -effect transistor on a polyimide ultra thin base film with a thickness of 6μm, a mobility of 0.02cm^2/Vs and On/Off ratio of 10^4. Polyimde gate dielectric layers cured at 250℃ have been employed to fabricate hi-quality pentacene field-effect transistor. This ultra thin structure achieves to suppress plastic deformation in flexible transistor characteristics.
キーワード(和) 有機FET / フレキシブル基板 / ポリイミド
キーワード(英) OFET / Flexible substrate / polyimide
資料番号 EMD2006-38,CPM2006-68,OPE2006-80,LQE2006-45
発行日

研究会情報
研究会 EMD
開催期間 2006/8/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electromechanical Devices (EMD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ポリイミド薄膜基板上に形成した超薄型有機フレキシブルFET素子の特性(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Properties of Ultra Thin Flexible Organic Field-Effect Transistor Fabricated on Polyimide Thin Film Substrate
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 有機FET / OFET
キーワード(2)(和/英) フレキシブル基板 / Flexible substrate
キーワード(3)(和/英) ポリイミド / polyimide
第 1 著者 氏名(和/英) 香取 重尊 / Shigetaka KATORI
第 1 著者 所属(和/英) 京都大学国際融合創造センター
International Innovation Center, Kyoto University
第 2 著者 氏名(和/英) 小松 徳太郎 / Tokutaro KOMATSU
第 2 著者 所属(和/英) 日立化成工業株式会社 総合研究所
R&D Center, Hitachi Chemical Co., Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 栗原 隆 / Takashi KURIHARA
第 3 著者 所属(和/英) 京都大学国際融合創造センター
International Innovation Center, Kyoto University
第 4 著者 氏名(和/英) 下地 規之 / Noriyuki SHIMOJI
第 4 著者 所属(和/英) ローム株式会社
New Material Device R&D Center ROHM CO., LTD.
第 5 著者 氏名(和/英) 松重 和美 / Kazumi MATSUSHIGE
第 5 著者 所属(和/英) 京都大学国際融合創造センター
International Innovation Center, Kyoto University
発表年月日 2006-08-25
資料番号 EMD2006-38,CPM2006-68,OPE2006-80,LQE2006-45
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 212
ページ範囲 pp.-
ページ数 3
発行日