| 講演名 | 2006-08-25 表面波プラズマ発生装置の開発と半導体プロセスへの応用に関する研究(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 東海林 春樹, 福田 永, 古川 雅一, |
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| 抄録(和) | 本研究は、高密度表面波プラズマ装置の開発と次世代半導体先端プロセスへの応用を目的としている。今回、400℃以下の低温領域でのシリコン系絶縁膜堆積、その組成評価および電子デバイスへの応用について検討を行った。シリコン窒化膜において、透湿率(WVTR)が0.23g/m^2・dayとなり、十分な保護膜特性が得られた。シリコン酸化膜では、リーク電流が7.5×10^<-9>A以下となり、マイクロディスプレイに適用できることが示された。 |
| 抄録(英) | We have developed a high-density surface-wave enhanced plasma apparatus for applications to next generation semiconductor fabrication processing. In this study, silicon insulating films deposited below 400℃ were evaluated in the view of the composition and their electronic device application. The silicon nitride films showed the water vapor transmission rate (WVTR) of 0.23g/m^2・day applicable to coating film. The silicon dioxide films indicated low leakage current below 7.5×10^<-9>A to realize near-to-eye microdisplay. |
| キーワード(和) | 化学気相成長 / 表面波プラズマ / シリコン窒化膜 / シリコン酸化膜 |
| キーワード(英) | Chemical vapor deposition / Surface-wave plasma / Silicon nitride film / Silicon dioxide film |
| 資料番号 | EMD2006-37,CPM2006-67,OPE2006-79,LQE2006-44 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
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| 開催期間 | 2006/8/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面波プラズマ発生装置の開発と半導体プロセスへの応用に関する研究(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Surface-Wave Enhanced Plasma Apparatus and Application to Semiconductor Processing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 化学気相成長 / Chemical vapor deposition |
| キーワード(2)（和/英） | 表面波プラズマ / Surface-wave plasma |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン窒化膜 / Silicon nitride film |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン酸化膜 / Silicon dioxide film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 東海林 春樹 / Haruki SHOJI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部 Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部 Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 古川 雅一 / Masakazu FURUKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学工学部 Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2006-08-25 |
| 資料番号 | EMD2006-37,CPM2006-67,OPE2006-79,LQE2006-44 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 212 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |