| 講演名 | 2006-08-25 ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般) 定 昌史, 遠藤 礼暁, 熊野 英和, 末宗 幾夫, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 従来,独立して取り扱われていた半導体量子ドットおよび不純物準位を用いた単一光子発生を単一固体内で制御する構造として,同族元素による等電子中心を利用する方法を提案し,ZnSe:Te系を用いた単一光子源の検討を行った.400℃成長試料において,埋め込みZnTe量の増加に伴いTe_2等電子中心,Te_ |
| 抄録(英) | Isoelectronically substitute systems where the increase in isovalent impurty atom leads to formation of quantum dots can unite such two different systems as impurity-bound excitons and excitons confined in quantum dots for single photon generation. We studied variation of luminescence origin of ZnSe:Te system with growth conditions. A clear distinction was observed from ZnTe/ZnSe quantum structures grown at 400℃ with different ZnTe layer thicknesses, indicating the capability of controlling the nature of emitted photons in a unitary solid-state system. Prospects for single photon emission are also discussed. |
| キーワード(和) | II-VI族化合物半導体 / 等電子中心 / 量子ドット / 単一光子光源 |
| キーワード(英) | II-VI Compound Semiconductors / Isoelectronic Centers / Quantum Dots / Single Photon Sources |
| 資料番号 | EMD2006-36,CPM2006-66,OPE2006-78,LQE2006-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD |
|---|---|
| 開催期間 | 2006/8/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electromechanical Devices (EMD) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ZnSe中の極微量Te等電子中心を用いた半導体単一光子源に向けての検討(光部品・電子デバイス実装技術,一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Examination of single photon emission from Te isoelectronic centers in ZnSe |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | II-VI族化合物半導体 / II-VI Compound Semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | 等電子中心 / Isoelectronic Centers |
| キーワード(3)（和/英） | 量子ドット / Quantum Dots |
| キーワード(4)（和/英） | 単一光子光源 / Single Photon Sources |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 定 昌史 / Masafumi JO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本学術振興会:北海道大学電子科学研究所 JSPS Research Fellow:Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 遠藤 礼暁 / Michiaki ENDO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 熊野 英和 / Hidekazu KUMANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 末宗 幾夫 / Ikuo SUEMUNE |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2006-08-25 |
| 資料番号 | EMD2006-36,CPM2006-66,OPE2006-78,LQE2006-43 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 212 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |