| 講演名 | 2006/6/26 InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出 花辺 充広, 尾辻 泰一, メチアニ ヤーヤ・ムバラク, 佐野 栄一, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | 2重入れ子型回折格子ゲートを有するInGaP/InGaAs/GaAs高電子移動度トランジスタを対象に、光励起2次元プラズマ不安定性を発振源とするテラヘルツ(THz)電磁波放射を室温観測した。低電子濃度プラズモン領域で励起された光電子群は、近傍の高電子濃度プラズモン領域に注入されプラズマ不安定性を誘発する。結果、生じたプラズマ共鳴振動を源とするTHz波放射が得られる。プラズモン領域と素子裏面のITOミラー間に形成される縦型共振器構造の効用により、放射THz波には利得が与えられる。レーザ2光波励起を行なった場合、直流光励起電子により励起された4.5THz近傍の共鳴振動成分が、差周波励起された5.0THzの共鳴振動成分により増強される効果が確認された。THz帯における注入同期発振の可能性を示唆する結果である。 |
| 抄録(英) | We experimentally observed terahertz emission of radiation produced by photoinduced two-dimensional plasmon instability at room temperature from an InGaP/InGaAs/GaAs high-electron-mobility transistor incorporating grating-bicoupled dual-gate structure. Photoelectrons drifting into a high-density plasmon cavity grating from an adjacent low-density one extensively promote the plasma instability, resulting in emission of terahertz radiation. A vertical cavity formed between the two-dimensional plasmon grating plane and the indium-tin-oxide mirror at the back surface gains the radiation. Self-oscillation initially at around 4.5 THz excited by a dc-photo carrier component was reinforced by the photomixed differential-frequency oscillation at 5.0 THz. This indicates the possibility of injection-locked oscillation in the terahertz frequency band. |
| キーワード(和) | テラヘルツ / プラズマ不安定性 / ヘテロ構造 / 高電子移動度トランジスタ(HEMT) |
| キーワード(英) | Terahertz / Plasma Instability / Heterostructure / High-Electron-Mobility Transistor (HEMT) |
| 資料番号 | ED2006-115,SDM2006-123 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/6/26(から1日開催) |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | InGaP/InGaAs/GaAsヘテロ構造トランジスタにおける光励起二次元プラズモン不安定性によるテラヘルツ波放出 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Terahertz Emission of Radiation Produced by Photoexcited Instability of Two-Dimensional Plasmons in an InGaP/InGaAs/GaAs Heterostructure Transistor(Session 9B Emerging Devices and Technologies III) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | テラヘルツ / Terahertz |
| キーワード(2)（和/英） | プラズマ不安定性 / Plasma Instability |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ構造 / Heterostructure |
| キーワード(4)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ(HEMT) / High-Electron-Mobility Transistor (HEMT) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 花辺 充広 / Mitsuhiro HANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 尾辻 泰一 / Taiichi OTSUJI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | メチアニ ヤーヤ・ムバラク / Yahya Moubarak MEZIANI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐野 栄一 / Eiichi SANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa ASANO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州大学システム情報科学研究院 Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University |
| 発表年月日 | 2006/6/26 |
| 資料番号 | ED2006-115,SDM2006-123 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 138 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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