| 講演名 | 2006/6/26 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源 遠藤 哲郎, 廣瀬 和之, 白石 賢二, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本論文では、極薄シリコン酸化膜にて発生するストレスリーク現象の物理的起源について述べる。シリコン酸化膜中にトラップされた電子のエネルギー緩和現象を伴うトラップアシスト型2段階トンネル現象に基づいてストレスリーク現象を解析した。その結果、ストレスリーク現象を発現しているシリコン酸化膜中のトラップサイトの特性を解明した。このストレスリーク現象を発現するトラップサイトのシリコン酸化膜中での位置はシリコン酸化膜中での正孔の平均自由工程によって、またトラップサイトでの電子のエネルギー緩和量はシリコン酸化膜における酸素空孔モデルで説明できることを提案する。 |
| 抄録(英) | Physical origin of stress-induced leakage currents (SILC) in ultra-thin SiO2 films is described. Assuming a two-step trap-assisted tunneling process accompanied with an energy relaxation process of trapped electrons, conditions of trap sites which are origin of SICL are quantitatively found. It is proposed that the trap site location and the trap state energy can be explained by mean-free-path of hole in SiO2 films and atomic structure of trap site by O vacancy model. |
| キーワード(和) | ストレスリーク / 極薄膜シリコン酸化膜 / 平均自由工程 / 酸素空孔モデル |
| キーワード(英) | SILC / Stress-Induced Leakage Current / SiO2 / Ultra Thin Silicon Dioxide / mean-free-path / O vacancy model |
| 資料番号 | ED2006-111,SDM2006-119 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2006/6/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 極薄シリコン酸化膜におけるストレスリーク電流の物理的起源 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Physical Origin of Stress-Induced Leakage Currents in Ultra-Thin Silicon Dioxide Films(Session 9A Silicon Devices VI) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ストレスリーク / SILC |
| キーワード(2)（和/英） | 極薄膜シリコン酸化膜 / Stress-Induced Leakage Current |
| キーワード(3)（和/英） | 平均自由工程 / SiO2 |
| キーワード(4)（和/英） | 酸素空孔モデル / Ultra Thin Silicon Dioxide |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 和之 / Kazuyuki Hirose |
| 第 2 著者 所属（和/英） | JAXA宇宙科学研究本部総合研究大学院大学 宇宙科学専攻 Institute of Space and Astronautical Science, JAXA |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 白石 賢二 / Kenji Shiraishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 筑波大学 大学院 数理物質科学研究科 Graduate School of Pure & Applied physics, University of Tsukuba |
| 発表年月日 | 2006/6/26 |
| 資料番号 | ED2006-111,SDM2006-119 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 138 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |