| 講演名 | 2006/6/26 Evaluation of Dielectric Reliability of Ultrathin HfSiO_xN_y in Metal Gate Capacitors(Session 9A Silicon Devices VI) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We have studied electrical and breakdown characteristics of 5nm-thick HfSiO_xN_y (Hf/(Hf+Si)=～0.43, nitrogen content=4.5～17.8 at. %) in Al-gate and NiSi-gate capacitors. For Al-gate capacitors, the flat band shift due to positive fixed charges is increased with nitrogen content in the dielectric layer. But in contrast, for NiSi-gate capacitors, the flat band is almost unchanged with the nitrogen content, which is presumably controlled by the quality of the interface between NiSi and the dielectric layer. The leakage current is markedly increased with an increase in the nitrogen content. Correspondingly, although the time to soft-breakdown, t_ |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | HfSiO_xN_y / Metal Gate / Leakage Current / Charge Trapping / TDDB / Soft Breakdown |
| 資料番号 | ED2006-109,SDM2006-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/6/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of Dielectric Reliability of Ultrathin HfSiO_xN_y in Metal Gate Capacitors(Session 9A Silicon Devices VI) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / HfSiO_xN_y |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Y. Pei |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Graduate School of Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2006/6/26 |
| 資料番号 | ED2006-109,SDM2006-117 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 138 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |