| 講演名 | 2006/6/26 An Uncooled Infrared Detector with Electrically Floated Absorber Structure(Session 8B Emerging Devices and Technologies II) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A capacitive type uncooled infrared detector structure with new capacitance reading scheme is investigated. The structure has two parts: infrared absorber and bi-material legs. The infrared absorber has an insulator-metal-insulator structure, and acts as a top electrode of a variable capacitor composed of two bottom electrodes and top electrode (infrared absorber) which is separated electrically from the substrate. The absorber is posted to the substrate through bi-material legs which are designed to have electrical insulation, low thermal conductance and temperature dependent deformation characteristics. Thermal energy from absorbed infrared rays is transferred to the bi-material legs, resulting in leg bending, top floating electrode (absorber) lifting, and capacitance change of the variable capacitor. Electrical signal part and mechanical moving part of a MEMS structure can be separated with this scheme. Therefore, it is applicable to high Q-factor capacitors of other devices such as ultrasonic sensors. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Uncooled infrared detector / Variable Capacitor / Bi-material / MEMS |
| 資料番号 | ED2006-106,SDM2006-114 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/6/26(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | An Uncooled Infrared Detector with Electrically Floated Absorber Structure(Session 8B Emerging Devices and Technologies II) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Uncooled infrared detector |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Il-Woong Kwon |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Dept. of EECS |
| 発表年月日 | 2006/6/26 |
| 資料番号 | ED2006-106,SDM2006-114 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 138 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |