| 講演名 | 2006/6/26 VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善 宮武 久和, 伊藤 隆司, |
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| 抄録(和) | ArFレジストパターンにN2雰囲気でVUV光(波長172nm)を照射することで130nm L&Sレジストパターンのドライエッチ耐性を向上させることを試みた。VUV光を照射するとレジストの膜厚が30%程度減少し、C=O結合の減少が見られる。線幅も縮小する。しかし、VUVキュアーの効果としては、VUVキュアー無しの場合に比べて、ドライエッチングでの表面荒れが6.2nm rmsから1.9nm rmsになり、測長SEMでの電子線照射による線幅縮小は9nmから2nmに大きく改善された。またLER(Line Edge Roughness)もキュアー無しの場合8.4nmであるところが6.5nmに抑制された。SiN膜のドライエッチングパターンは矩形に近い形状を示し、LERもレジストと同じ値を示した。このことから、VUVキュアーはArFレジストパターンの改善に有効な手段であると考えられる。 |
| 抄録(英) | The dry etching resistance of 130nm L&S resist patterns was improved by irradiating the vacuum ultraviolet (VUV) light (wavelength of 172nm) to ArF resist patterns in N2 atmosphere. The film thickness of resist decreased by about 30% under VUV irradiation and the density of C=O bonds of the resist was decreased. The line width also reduced. However, the surface roughness of resist after dry etching improved from 6.2nm rms which value was obtained under no cure, to 1.9nm rms which was obtained under VUV irradiation. The line width shrinkage by the electron beam irradiation of CD-SEM was greatly improved from 9nm to 2nm by using VUV Cure. Moreover, LER (Line Edge Roughness) of resist patterns was approximately 2nm improved from 8.4nm that is under no cure case, to 6.5nm under VUV irradiation. Using VUV Cure, the dry etching pattern of a SiN film showed near the rectangle cross sectional view, and indicated almost the same LER value as the resist mask pattern. The VUV Cure technique is an attractive method of fine resist pattern fabrication by ArF lithography. |
| キーワード(和) | VUVキュアー / ドライエッチング耐性 / ArF / メタクリレート / アクリレート / レジスト / UVキュアー / LER / CD-SEM / 線幅縮小 |
| キーワード(英) | VUV cure / dry etching resistance / ArF / methacrylate / acrylate / resist / UV cure / LER / CD-SEM / Line width shrinkage |
| 資料番号 | ED2006-99,SDM2006-107 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/6/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | VUVキュアーによるArFリソグラフィーパターンの改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ArF Photo Resist Pattern Improvement by VUV Cure(Session 8A Silicon Devices V) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | VUVキュアー / VUV cure |
| キーワード(2)（和/英） | ドライエッチング耐性 / dry etching resistance |
| キーワード(3)（和/英） | ArF / ArF |
| キーワード(4)（和/英） | メタクリレート / methacrylate |
| キーワード(5)（和/英） | アクリレート / acrylate |
| キーワード(6)（和/英） | レジスト / resist |
| キーワード(7)（和/英） | UVキュアー / UV cure |
| キーワード(8)（和/英） | LER / LER |
| キーワード(9)（和/英） | CD-SEM / CD-SEM |
| キーワード(10)（和/英） | 線幅縮小 / Line width shrinkage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宮武 久和 / Hisakazu MIYATAKE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 電子デバイス開発本部 Advanced Technology Planning (Tokyo), Electronic components, Sharp Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 隆司 / Takashi ITO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院 工学研究科電子工学専攻 Department of Electronics Engineering Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 2006/6/26 |
| 資料番号 | ED2006-99,SDM2006-107 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 138 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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