| 講演名 | 2006/6/26 High Current, High Power, and High Linearity Ohmic Recess InGaP/InGaAs Doped Channel FETs(Session 7B Compound Semiconductor Devices III) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | Performance of contact resistance, dc, rf, microwave power, and device linearity characteristics between proposed partial drain/source ohmic recess InGaP/InGaAs/GaAs doped-channel FETs (OR-DCFETs) and the conventional doped-channel FETs (DCFETs) are compared in this research. The proposed ohmic recess process reduces the parasitic ohmic alloyed resistance caused by the undoped Schottky layer, and therefore improves the device performance in terms of dc, rf, source resistance as well as power characteristics. Owing to a lower source and drain resistances characteristic, OR-DCFETs demonstrated a high device current, high power-added efficiency (PAE), and better device linearity, which are very important for microwave power applications. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | InGaP/InGaAs / doped-channel EFTs / source and drain resistance / device linearity / PAE |
| 資料番号 | ED2006-95,SDM2006-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/6/26(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Current, High Power, and High Linearity Ohmic Recess InGaP/InGaAs Doped Channel FETs(Session 7B Compound Semiconductor Devices III) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / InGaP/InGaAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Feng-Tso Chien |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Dept. of Electronic Engineering, Feng Chia University |
| 発表年月日 | 2006/6/26 |
| 資料番号 | ED2006-95,SDM2006-103 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 138 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |