| 講演名 | 2006/6/26 Fast recovery SiGe/Si/Si pin diodes with a selective lifetime control technique(Session 6B Power Devices,AWAD2006) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | In power switching circuits, fast-recovery diodes with a low on-state voltage drop (V_f) are necessary for lower switching noise, faster operation or lower power dissipation. We have found that pin diodes with SiGe anode layers exhibit very short reverse recovery without deteriorating the on-state voltage drop. In our test fabrication, we have successfully proved a recovery of 160ns and a forward voltage drop of 0.86V at a forward current density (I_f) of 100A/cm^2. A simulation work indicates a possibility of 20ns -0.8V at I_f of 100A A/cm^2 in the present diode by adjusting lifetimes in the anode and i layers independently. We discuss mechanism of the fast recovery and low on-state resistance. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Pin diode / recovery / forward voltage drop / switching |
| 資料番号 | ED2006-84,SDM2006-92 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/6/26(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fast recovery SiGe/Si/Si pin diodes with a selective lifetime control technique(Session 6B Power Devices,AWAD2006) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Pin diode |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Fumihiko HIROSE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Faculty of Engineering, Yamagata University |
| 発表年月日 | 2006/6/26 |
| 資料番号 | ED2006-84,SDM2006-92 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 138 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |