| 講演名 | 2006/6/26 Observation of gate-bias dependent interface coupling in thin SOI MOSFETs(Session 6A Silicon Devices III,AWAD2006) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We have fabricated and characterized a silicon-on-insulator (SOI) metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor (MOSFET) with the SOI film thickness of 26nm. The measured data show that the transconductance (g_m) peak in the front gate bias shifts and then splits into two peaks as the back gate voltage decreases. This observation is interpreted as due to a transition between the volume inversion state and the interface state. The ratio of the g_m peak splitting to the change of back gate bias is approximately the same as the capacitive coupling factor between the front and the back interfaces. Our observation is consistent with double layer conduction observed in an earlier SOI quantum dot transistor [1]. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | thin SOI MOSFET / transconductance peak splitting / volume inversion |
| 資料番号 | ED2006-81,SDM2006-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/6/26(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of gate-bias dependent interface coupling in thin SOI MOSFETs(Session 6A Silicon Devices III,AWAD2006) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / thin SOI MOSFET |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Y. C. Jung |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Electronics and Computer Engineering, Korea University |
| 発表年月日 | 2006/6/26 |
| 資料番号 | ED2006-81,SDM2006-89 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 138 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |