| 講演名 | 2006/6/26 AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用 橋詰 保, 金子 昌充, 小谷 淳二, 古川 拓也, 木村 健, 佐藤 威友, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaNヘテロ構造上のショットキー接合のリーク電流を抑制する目的で、超薄Al膜を利用した表面制御プロセスを開発した。この制御プロセスによって、ショットキー接合のリーク電流は減少し、またI-V特性には明確な温度依存性が出現した。Pd/AlGaN/GaNを作製し、水素ガス検知特性を評価した。C-V曲線は導入した水素ガス分圧に従って系統的にシフトし、そのシフト量は最大でIOOOmVに達した。オープンゲート型AlGaN/GaNHEMTの溶液中における特性を調べた。伝達特性が溶液中のpH値に従って平行移動し、57.5mV/pHの感度を得た。 |
| 抄録(英) | We proposed a surface control process for suppressing tunneling leakage currents of Schottky contacts on AlGaN/GaN heterostrcutures. The process consisted of the nitrogen radical treatment, the deposition of an ultrathin Al layer, the UHV annealing and finally the removal of the Al layer. The Ni/Au Schottky gates fabricated on the processed AlGaN surfaces showed pronounced reduction of leakage current and clear temperature dependence of I-V curves. The H_2 gas-sensing characteristics of Pd Schottky diodes formed on AlGaN/GaN heterostructure were investigated. The Pd/AlGaN/GaN diode showed the systematic shift in the C-V curve for different partial pressure of H_2, keeping the shape of the curve approximately the same. The maximum shift in the threshold voltage obtained was about 1200mV which is much larger than 500mV reported for the Pd-based Si MOS sensors. Liquid-phase sensing characteristics of open-gate AlGaN/GaN HEMT structures were investigated in aqueous solutions. We observed a fine parallel shift in the transfer curves according to change in pH value in a solution, indicating the corresponding potential change at the AlGaN surface. The sensitivity for the potential change was 57.5mV/pH. |
| キーワード(和) | AlGaN / ショットキー接合 / リーク電流 / 窒素空孔 / 酸素 / 水素センサー / 化学センサー |
| キーワード(英) | AlGaN / Schottky / leakage current / nitrogen vacancy / oxygen / hydrogen sensor / chemical sensor |
| 資料番号 | ED2006-75,SDM2006-83 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/6/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | AlGaN表面の欠陥・不純物準位の制御とセンサー応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of defect and impurity states at AlGaN surfaces for sensor application(Session 5 Compound Semiconductor Devices II,AWAD2006) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接合 / Schottky |
| キーワード(3)（和/英） | リーク電流 / leakage current |
| キーワード(4)（和/英） | 窒素空孔 / nitrogen vacancy |
| キーワード(5)（和/英） | 酸素 / oxygen |
| キーワード(6)（和/英） | 水素センサー / hydrogen sensor |
| キーワード(7)（和/英） | 化学センサー / chemical sensor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / T. Hashizume |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金子 昌充 / M. Kaneko |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小谷 淳二 / J. Kotani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 古川 拓也 / T. Kokawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 木村 健 / T. Kimura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / T. Sato |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 北海道大学・量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE), Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2006/6/26 |
| 資料番号 | ED2006-75,SDM2006-83 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 138 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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