| 講演名 | 2006/6/26 先端CMOS向けHigh-k/メタルゲートスタック技術 奈良 安雄, |
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| 抄録(和) | CMOSデバイスの更なる性能向上に対しては、従来のような微細化技術のみでは既に限界に来ており、歪シリコン技術、メタルゲート技術、High-kゲート絶縁膜技術、薄膜ボディSOI、マルチゲート構造などの新しい技術の導入と共にスケーリングを行っておく必要がある。これらの中でもゲート電極とゲート絶縁膜技術(ゲートスタック技術)は今後の微細化CMOSにおける共通の課題であると思われる。本講演では、今後のゲートスタック技術としてHigh-kゲート絶縁膜とメタルゲート電極を取り上げ、最近の開発成果について述べる。 |
| 抄録(英) | In order to obtain high performance CMOS devices with scaled dimensions, introduction of new technologies into the front-end fabrication process are required and therefore technologies such as strained channel, metal gate, high-k gate dielectrics, thin body SOI, and multi-gate transistor, are proposed so far. Among these technologies, gate stack technology is common key issue for scaled CMOS devices. In this presentation, gate stack technology using high-k gate dielectrics and metal gate will be discussed, and recent achievements of these technologies will be reviewed. |
| キーワード(和) | CMOS / ゲートスタック / ゲート絶縁膜 / High-kゲート絶縁膜 / メタルゲート |
| キーワード(英) | CMOS / Gate stack / Gate Dielectrics / High-k Gate Dielectrics / Metal gate |
| 資料番号 | ED2006-74,SDM2006-82 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/6/26(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 先端CMOS向けHigh-k/メタルゲートスタック技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-k/Metal Gate Stack for Advanced CMOS(Session 4 Silicon Devices II,AWAD2006) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | ゲートスタック / Gate stack |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate Dielectrics |
| キーワード(4)（和/英） | High-kゲート絶縁膜 / High-k Gate Dielectrics |
| キーワード(5)（和/英） | メタルゲート / Metal gate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 奈良 安雄 / Yasuo NARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)半導体先端テクノロジーズ Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. |
| 発表年月日 | 2006/6/26 |
| 資料番号 | ED2006-74,SDM2006-82 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 138 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |