| 講演名 | 2006-07-27 超低電圧動作・低雑音CMOS増幅回路の設計法(イメージセンサのインターフェース回路,アナログ,及び一般) 升井 義博, 吉田 毅, 佐々木 守, 岩田 穆, |
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| 抄録(和) | MOSFETの微細化に伴い素子のばらつきが深刻な問題となっている.増幅回路において素子のばらつきはdcオフセット電圧の原因となり,特に低電源電圧での回路設計を困難なものとする.本研究では素子のばらつきが増幅回路に及ぼす影響を明らかにし,低電圧動作におけるばらつき補償技術を提案する.提案する手法は増幅回路の仮想接地点を利用し,フローティングアナログスイッチを必要としないでオートゼロ技術を実現する.試作は0.18um-CMOSプロセスで行い,測定評価により電源電圧0.6V,消費電力130μW,入力換算雑音89nV/√Hz (@100Hz)を達成した. |
| 抄録(英) | Device deviation is serious problem in scaled CMOS technologies. Device deviation causes the dc offset voltage in the amplification circuit, and the circuit design by a low power-supply voltage becomes difficult. In this paper, Influence that device deviation exerts on amplification circuit is cleared up, and calibration technique is presented. The proposed technique is achieves autozero technique without analog switches. The low-noise amplifier fabricated by a 0.18-um CMOS technology was measured at a 0.6-V power supply, and achieved 130-uW power consumption, 89-nV/√Hz input noise (@100Hz). |
| キーワード(和) | 低雑音増幅回路 / 低電源電圧 / オートゼロ / チョッパスタビライゼーション / スイッチトオペアンプ / CMOS / 素子ばらつき |
| キーワード(英) | Low-noise amplifier / Low supply-voltage / Autozeroing / Chopper stabilization / Switched op-amp / CMOS / Device deviation |
| 資料番号 | ICD2006-66 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2006/7/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超低電圧動作・低雑音CMOS増幅回路の設計法(イメージセンサのインターフェース回路,アナログ,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design of Ultra-low supply voltage, low noise CMOS amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低雑音増幅回路 / Low-noise amplifier |
| キーワード(2)（和/英） | 低電源電圧 / Low supply-voltage |
| キーワード(3)（和/英） | オートゼロ / Autozeroing |
| キーワード(4)（和/英） | チョッパスタビライゼーション / Chopper stabilization |
| キーワード(5)（和/英） | スイッチトオペアンプ / Switched op-amp |
| キーワード(6)（和/英） | CMOS / CMOS |
| キーワード(7)（和/英） | 素子ばらつき / Device deviation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 升井 義博 / Yoshihiro MASUI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 毅 / Takeshi YOSHIDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐々木 守 / Mamoru SASAKI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩田 穆 / Atushi IWATA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研究科 Graduate School Advanced Sciences of Matter, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2006-07-27 |
| 資料番号 | ICD2006-66 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 189 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |