| 講演名 | 2006-06-22 Si(110)基板上CMOSトランジスタ特性のGate酸化プロセス依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) 桧山 晋, 王 俊利, 加藤 孝義, 平野 智之, 田井 香織, 岩元 勇人, |
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| 抄録(和) | Si(110)基板上にCMOSトランジスタを形成し、正孔移動度のGate酸化プロセス依存性評価を行った。評価を行った酸化プロセスは、ラジカル酸化及びRTO酸化である。評価の結果、ラジカル酸化の正孔移動度はRTO酸化よりも約10%大きいことが分かった。また、TEM解析の結果、ラジカル酸化のSiO_2/Si界面ラフネスはRTO酸化膜よりも改善していることが確認された。ラジカル酸化では界面ラフネス散乱が低減された為、正孔移動度が向上したと考えられる。 |
| 抄録(英) | We investigated gate oxide process dependence of hole mobility on Si(110) surface. We used RTO and radical oxidization as gate oxide processes. As a result, it was found that the hole mobility of radical oxide was higher than that of RTO oxide by approximately 10%. And from the result of TEM analysis, the SiO_2/Si interface roughness of radical oxide was found to be smaller than that of RTO oxide. Therefore, it was considered that the improvement of hole mobility by radical oxide was caused by reduction of interface roughness scattering. |
| キーワード(和) | Si(110)基板 / 移動度 / ラジカル酸化 / 界面ラフネス |
| キーワード(英) | Si(110) subatrate / mobility / radical oxide / interface roughness |
| 資料番号 | SDM2006-53 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/6/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si(110)基板上CMOSトランジスタ特性のGate酸化プロセス依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Gate Oxide Process Dependence of CMOS Performance on Si(110) Surface |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si(110)基板 / Si(110) subatrate |
| キーワード(2)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(3)（和/英） | ラジカル酸化 / radical oxide |
| キーワード(4)（和/英） | 界面ラフネス / interface roughness |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 桧山 晋 / Susumu HIYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 Sony Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 王 俊利 / Junli WANG |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 Sony Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 加藤 孝義 / Takayoshi KATO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 Sony Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平野 智之 / Tomoyuki HIRANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 Sony Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田井 香織 / Kaori TAI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 Sony Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 岩元 勇人 / Hayato IWAMOTO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ソニー株式会社 Sony Corporation |
| 発表年月日 | 2006-06-22 |
| 資料番号 | SDM2006-53 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 108 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |