| 講演名 | 2006-06-22 しきい電圧のばらつきに依存しないCMOS基準電流源回路の検討(信号処理,LSI,及び一般) 根岸 将史, 高窪 かをり, 高窪 統, |
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| 抄録(和) | 本稿では,しきい電圧のばらつきに対して不感なCMOS基準電流源回路を提案する.提案回路ではMOSFETをゼロ温度係数点で動作させ,温度に依存しない基準電流を得る.ゼロ温度係数点のゲート・ソース間電圧はしきい電圧の変動に依存してしまうため,しきい電圧の変動に合わせて変化する電圧を生成する.しきい電圧がばらついた場合でも,常にMOSFETをゼロ温度係数点で動作させることができ,しきい電圧のばらつきに対して不感な電流源回路を実現した.提案回路を構成しているMOSFETのしきい電圧が等しいとき,しきい電圧のばらつきに対して依存性を低減できる構成である.しきい電圧のばらつきに対する影響を評価するため,基準温度T_0でのしきい電圧V_T(T_0)に±10%のばらつきを与え提案回路をシミュレーションを行う.出力電流I_の変動は±0.39%以内となり,しきい電圧のばらつきに依存しない電流を実現する.温度が-25℃から125℃まで変動したときの微分温度係数は86.8ppm/℃であり,電源電圧が2.5Vから3.5Vまで±0.5V変動したときの出力電流の変動は±2.9%である. |
| 抄録(英) | In this paper, a CMOS current reference independent of deviation of threshold voltage is proposed. The proposed circuit consisits of MOSFET operating at the zero-temperature-coefficient point and gives reference current which does not depend on temperature. The proposed circuit generates some voltage proportional to a deviation of the threshold voltage, because gate to sources voltage at the zero-temperature-coefficient point depends on a change of the threshold voltage. When the threshold voltage changed, MOSFET always works at the zero-temperature-coefficient point. The proposed circuit realize the constitution independent of deviation of the threshold voltage. All the threshold voltage of the MOSFETs in the current reference are equal, the proposed circuit less depends on the deviation of the threshold voltage. The proposed circuit was investigated in HSPICE. When the deviation of threshold voltage was changed from -10% to +10%, the deviation of threshold voltage coefficient of the current reference was 0.39%. Also when the temperature was changed from -25℃ to 125℃, the temperature coefficient of the current reference was 86.8ppm/℃. And when the power-supply voltage range from 2.5V to 3.5V, the power-supply voltage coefficient of the current reference was ±2.9%. |
| キーワード(和) | しきい電圧 / ばらつき / 基準電流源回路 / ゼロ温度係数点 |
| キーワード(英) | threshold voltage / deviation / current reference / zero-temperature-coefficient point |
| 資料番号 | CAS2006-3,VLD2006-16,SIP2006-26 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SIP |
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| 開催期間 | 2006/6/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Signal Processing (SIP) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | しきい電圧のばらつきに依存しないCMOS基準電流源回路の検討(信号処理,LSI,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A CMOS Current Reference Independent of Deviation of Threshold Voltage |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | しきい電圧 / threshold voltage |
| キーワード(2)（和/英） | ばらつき / deviation |
| キーワード(3)（和/英） | 基準電流源回路 / current reference |
| キーワード(4)（和/英） | ゼロ温度係数点 / zero-temperature-coefficient point |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 根岸 将史 / Masashi NEGISHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 中央大学 理工学部 Department of science and engineering, Chuo University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高窪 かをり / Kawori TAKAKUBO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 明治大学 理工学部 Department of science and engineering, Meiji University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高窪 統 / Hajime TAKAKUBO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 中央大学 理工学部 Department of science and engineering, Chuo University |
| 発表年月日 | 2006-06-22 |
| 資料番号 | CAS2006-3,VLD2006-16,SIP2006-26 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 115 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |