講演名 2006-06-30
ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機薄膜トランジスタへの応用(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
福田 永, 小島 崇, 植杉 克弘,
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抄録(和) キャスト法を用い、位置規則性を持つポリ3へキシルチオフェン(P3HT)膜の形成を試みた。P3HT膜は、適度な条件下での成膜後、安定なハニカム結晶構造を示した。薄膜トランジスタ(TFT)において、pチャネル蓄積モード動作を示し、最大キャリア移動度において、8.6×10^<-3>cm^2/Vsを有する性能が得られた。さらに、1000ppmのN_2Oガスに応答することが確認できた。
抄録(英) Regioregular poly-3-hexylthiophene (P3HT) thin films were formed using a cast coating technique. After deposition in a moderate condition, the P3HT films showed a stable honeycomb crystal structure. The TFTs indicate the maximum field-effect mobility of 8.6×10^<-3>cm^2/Vs in the p-channel accumulation operating mode. Using the transistor, it was possible to detect 1000 ppm of N_2O gas.
キーワード(和) 有機薄膜 / ポリ3ヘキシルチオフェン / 薄膜トランジスタ / ガスセンサ / 亜酸化窒素
キーワード(英) Organic Thin Film / Poly-3-hexylthiophene / Thin-film Transistor / Gas Sensor / Nitrous Oxide
資料番号 EMD2006-12,CPM2006-36,OME2006-46
発行日

研究会情報
研究会 CPM
開催期間 2006/6/23(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Component Parts and Materials (CPM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機薄膜トランジスタへの応用(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Poly-3-hexylthiophene Thin Film Formation and Application to Organic Thin Film Transistor
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 有機薄膜 / Organic Thin Film
キーワード(2)(和/英) ポリ3ヘキシルチオフェン / Poly-3-hexylthiophene
キーワード(3)(和/英) 薄膜トランジスタ / Thin-film Transistor
キーワード(4)(和/英) ガスセンサ / Gas Sensor
キーワード(5)(和/英) 亜酸化窒素 / Nitrous Oxide
第 1 著者 氏名(和/英) 福田 永 / Hisashi FUKUDA
第 1 著者 所属(和/英) 室蘭工業大学工学部
Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 小島 崇 / Takashi KOJIMA
第 2 著者 所属(和/英) 室蘭工業大学工学部
Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 植杉 克弘 / Katsuhiro UESUGI
第 3 著者 所属(和/英) 室蘭工業大学工学部
Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology
発表年月日 2006-06-30
資料番号 EMD2006-12,CPM2006-36,OME2006-46
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 131
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日