講演名 | 2006-06-30 ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機薄膜トランジスタへの応用(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般) 福田 永, 小島 崇, 植杉 克弘, |
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抄録(和) | キャスト法を用い、位置規則性を持つポリ3へキシルチオフェン(P3HT)膜の形成を試みた。P3HT膜は、適度な条件下での成膜後、安定なハニカム結晶構造を示した。薄膜トランジスタ(TFT)において、pチャネル蓄積モード動作を示し、最大キャリア移動度において、8.6×10^<-3>cm^2/Vsを有する性能が得られた。さらに、1000ppmのN_2Oガスに応答することが確認できた。 |
抄録(英) | Regioregular poly-3-hexylthiophene (P3HT) thin films were formed using a cast coating technique. After deposition in a moderate condition, the P3HT films showed a stable honeycomb crystal structure. The TFTs indicate the maximum field-effect mobility of 8.6×10^<-3>cm^2/Vs in the p-channel accumulation operating mode. Using the transistor, it was possible to detect 1000 ppm of N_2O gas. |
キーワード(和) | 有機薄膜 / ポリ3ヘキシルチオフェン / 薄膜トランジスタ / ガスセンサ / 亜酸化窒素 |
キーワード(英) | Organic Thin Film / Poly-3-hexylthiophene / Thin-film Transistor / Gas Sensor / Nitrous Oxide |
資料番号 | EMD2006-12,CPM2006-36,OME2006-46 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | CPM |
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開催期間 | 2006/6/23(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機薄膜トランジスタへの応用(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Poly-3-hexylthiophene Thin Film Formation and Application to Organic Thin Film Transistor |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 有機薄膜 / Organic Thin Film |
キーワード(2)(和/英) | ポリ3ヘキシルチオフェン / Poly-3-hexylthiophene |
キーワード(3)(和/英) | 薄膜トランジスタ / Thin-film Transistor |
キーワード(4)(和/英) | ガスセンサ / Gas Sensor |
キーワード(5)(和/英) | 亜酸化窒素 / Nitrous Oxide |
第 1 著者 氏名(和/英) | 福田 永 / Hisashi FUKUDA |
第 1 著者 所属(和/英) | 室蘭工業大学工学部 Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 小島 崇 / Takashi KOJIMA |
第 2 著者 所属(和/英) | 室蘭工業大学工学部 Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 植杉 克弘 / Katsuhiro UESUGI |
第 3 著者 所属(和/英) | 室蘭工業大学工学部 Faculty of Engineering, Muroran Institute of Technology |
発表年月日 | 2006-06-30 |
資料番号 | EMD2006-12,CPM2006-36,OME2006-46 |
巻番号(vol) | vol.106 |
号番号(no) | 131 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |