講演名 2006-06-30
ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
西本 頼史, ブルームウォンロート タノーム, 丸山 武男, 荒井 滋久,
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抄録(和) しきい値電流密度の特性温度の改善を目的として、ブラッグ波長を利得ピークの長波長側にデチューニングしたGaInAsP/InP量子細線DFBレーザ(細線幅(W)=37nm、周期(∧)=247.5nm)の作製を行った。293Kから353Kの温度範囲におけるしきい値電流密度の特性温度は、デチューニングを行っていないレーザの特性温度が57Kであったのに対し、それよりも1.6倍大きい95Kという値が得られた。また、温度上昇による外部微分量子効率の低下においても改善が確認された。ブラッグ波長デチューニングは、1.5-1.6μrn帯の長波長帯レーザの特性温度を向上させる方法として有望であることを示した。
抄録(英) To improve the characteristic temperature of threshold current density, we have demonstrated GaInAsP/InP quantum-wire DFB lasers with the wire width of 37nm and the DFB period of 247.5nm incorporating Bragg wavelength detuning from the gain peak wavelength of active regions. The characteristic temperature of the threshold current density (evaluated between 293K and 353K) of a laser with detuning was as high as 95K, which is 1.6 times higher than 57K of a laser without detuning. An improvement of differential quantum efficiency reduction was also observed. Bragg wavelength detuning can be attractive to an improvement of the characteristic temperature of 1.5-1.6μm long-wavelength lasers.
キーワード(和) 量子細線レーザ / DFBレーザ / GaInAsP/InP / 特性温度 / ブラッグ波長デチューニング
キーワード(英) Quantum-Wire laser / DFB laser / GaInAsP/InP / Characteristic temperature / Bragg wavelength detuning
資料番号 OPE2006-19,LQE2006-23
発行日

研究会情報
研究会 OPE
開催期間 2006/6/23(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Optoelectronics (OPE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ブラッグ波長デチューニングによるGaInAsP/InP量子細線DFBレーザの特性温度の改善(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Improvement of Characteristic Temperature of GaInAsP/InP Quantum-Wire DFB Lasers by Bragg Wavelength Detuning
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 量子細線レーザ / Quantum-Wire laser
キーワード(2)(和/英) DFBレーザ / DFB laser
キーワード(3)(和/英) GaInAsP/InP / GaInAsP/InP
キーワード(4)(和/英) 特性温度 / Characteristic temperature
キーワード(5)(和/英) ブラッグ波長デチューニング / Bragg wavelength detuning
第 1 著者 氏名(和/英) 西本 頼史 / Yoshifumi Nishimoto
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) ブルームウォンロート タノーム / Dhanorm Plumwongrot
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 丸山 武男 / Takeo Maruyama
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST
第 4 著者 氏名(和/英) 荒井 滋久 / Shigehisa Arai
第 4 著者 所属(和/英) 東京工業大学 量子ナノエレクトロニクス研究センター:独立行政法人科学技術振興機構
Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST
発表年月日 2006-06-30
資料番号 OPE2006-19,LQE2006-23
巻番号(vol) vol.106
号番号(no) 133
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日