| 講演名 | 2006-05-18 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) 岡田 貴行, 伊藤 幹記, 澤田 和明, 石田 誠, |
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| 抄録(和) | 我々のグループではSi-CMOSプロセスに適応できる新しい絶縁膜として結晶性を持つγ-Al_2O_3極薄膜に注目している。これまでにAl_2O_3固相成長と混成ソースMBE成長を用いた2段階成長による成膜方法を確立し、これを用いたMOSFETや共鳴トンネルダイオードの基本特性を報告している。本成長法の初段にあたる固相成長はMBE成長後の膜の平坦性向上に有効であるが、1nm膜厚のケミカルオキサイド形成、1nm膜厚のAlの蒸着、熱処理による固相反応の各プロセスではその場観察を必要とする厳密な条件制御が要求されるため、実デバイス応用の際には課題になると考えられる。本研究ではAlの還元性に注目しこの固相成長層形成プロセスを用いずとも平坦なγ-Al_2O_3膜を形成する方法を確立したので報告する。 |
| 抄録(英) | We have focused on epitaxial γ-Al_2O_3 thin films grown on Si substrates, which can be integrated into Si-ULSI as a novel crystalline film. A 2-step growth method consists of the first Al_2O_3 solid phase epitaxy (SPE) process and the second Al-N_2O MBE growth process for formation of γ-Al_2O_3 films with very smooth surfaces has been established. And its various device applications have been reported. In this report, we report on a new epitaxial γ-Al_2O_3 deposition method without the SPE process. Because of its simplicity, this method is useful for adapting crystalline γ-Al_2O_3 films into Si ultra-large-scale integrated circuit applications |
| キーワード(和) | エピタキシヤルγ-Al_2O_3 / 分子線エピタキシャル成長 / ケミカルオキサイド |
| キーワード(英) | Epitaxial γ-Al_2O_3 / Molecular Beam Epitaxy / Chemical Oxide |
| 資料番号 | ED2006-23,CPM2006-10,SDM2006-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2006/5/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of epitaxial γ-Al_2O_3 thin-films on Si substrates and its device application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エピタキシヤルγ-Al_2O_3 / Epitaxial γ-Al_2O_3 |
| キーワード(2)（和/英） | 分子線エピタキシャル成長 / Molecular Beam Epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | ケミカルオキサイド / Chemical Oxide |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡田 貴行 / Takayuki OKADA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 Electrical & Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊藤 幹記 / Mikinori ITO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系 Electrical & Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 澤田 和明 / Kazuaki SAWADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系:豊橋技術科学大学ISSRC:JST-CREST Electrical & Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology:Toyohashi University of Technology ISSRC:JST-CREST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石田 誠 / Makoto ISHIDA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系:豊橋技術科学大学ISSRC:JST-CREST Electrical & Electronic Engineering, Toyohashi University of Technology:Toyohashi University of Technology ISSRC:JST-CREST |
| 発表年月日 | 2006-05-18 |
| 資料番号 | ED2006-23,CPM2006-10,SDM2006-23 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 47 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |