| 講演名 | 2006-05-19 Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) 小谷 淳二, 金子 昌充, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | AlGaNショットキー接合のリーク電流特性を詳細に調べ、Thin Surface Barrier(TSB)モデルに基づく厳密なコンピュータシミュレーションを用いて実験結果を理論的に解析した。その結果、AIGaNショットキー接合のリーク電流は、GaNショットキー接合のリーク電流以上に逆バイアス依存性が強く、温度依存性がほとんどないことが分かった。TSBモデルに基づく理論解析の結果、これらの特徴は、AlGaN表面近傍に存在すると考えられる浅い酸素不純物ドナーに関連することが示された。そこで我々は、薄いAl膜の堆積とアニールを組み合わせた表面制御プロセスにより、酸素不純物ドナーの低減を試みた。表面制御プロセスをAlGaNショットキー接合に適用することで、4～5桁の逆方向リーク電流の低減が実現された。さらに、リーク電流の温度依存性が回復した。 |
| 抄録(英) | Leakage currents in AlGaN Schottky diodes were investigated systematically by using a rigorous computer simulation based on the thin surface barrier model taking account of unintentionally doped surface donors. The leakage currents in AlGaN Schottky diodes have stronger bias dependence and smaller temperature dependences as compared with those of GaN diodes. It was shown that these features were associated with shallow oxygen donors located near the AlGaN surface. Then, an attempt was made to remove oxygen and suppress leakage currents by a novel surface control process using a ultra-thin Al layer and subsequent annealing. A remarkable reduction of reverse leakage currents of 4～5 orders of magnitude took place in large area AlGaN Schottky diodes after application of the surface control process. |
| キーワード(和) | AlGaN / ショットキー接合 / リーク電流 / 酸素ドナー / 表面制御 / XPS |
| キーワード(英) | AlGaN / Schottky contacts / leakage currents / oxygen donors / surface control / XPS |
| 資料番号 | ED2006-36,CPM2006-23,SDM2006-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2006/5/11(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Component Parts and Materials (CPM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Leakage current control of AlGaN Schottky interfaces by surface control process using thin Al layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接合 / Schottky contacts |
| キーワード(3)（和/英） | リーク電流 / leakage currents |
| キーワード(4)（和/英） | 酸素ドナー / oxygen donors |
| キーワード(5)（和/英） | 表面制御 / surface control |
| キーワード(6)（和/英） | XPS / XPS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小谷 淳二 / Junji Kotani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金子 昌充 / Masamitsu Kaneko |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科 Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2006-05-19 |
| 資料番号 | ED2006-36,CPM2006-23,SDM2006-36 |
| 巻番号（vol） | vol.106 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |